Іздеу

Шығарылым
Атауы
Авторлар
Том 50, № 3 (2016)
Effect of the Ti-Nanolayer Thickness on the Self-Lift-off of Thick GaN Epitaxial Layers
Yugov A., Malahov S., Donskov A., Duhnovskii M., Knyazev S., Kozlova Y., Yugova T., Belogorokhov I.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
Verification of the Hypothesis on the Thermoelastic Nature of Deformation of a (0001)GaN Layer Grown on the Sapphire a-Cut
Drozdov Y., Khrikin O., Yunin P.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Heterostructures of metamorphic GaInAs photovoltaic converters fabricated by MOCVD on GaAs substrates
Mintairov S., Emelyanov V., Rybalchenko D., Salii R., Timoshina N., Shvarts M., Kalyuzhnyy N.
PDF
(Eng)
Том 52, № 11 (2018)
Investigation of the Anisotropy of the Structural Properties of GaN(0001) Layers Grown by MOVPE on a-Plane (11\(\bar {2}\)0) Sapphire
Yunin P., Drozdov Y., Khrykin O., Grigoryev V.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
Formation of Cadmium-Sulfide Nanowhiskers via Vacuum Evaporation and Condensation in a Quasi-Closed Volume
Belyaev A., Antipov V., Rubets V.
PDF
(Eng)
Том 53, № 12 (2019)
Edge Doping in Graphene Devices on SiO2 Substrates
Vasilyeva G., Smirnov D., Vasilyev Y., Greshnov A., Haug R.
PDF
(Eng)
Том 52, № 10 (2018)
Influence of the Synthesis Conditions and Tin Nanoparticles on the Structure and Properties of a-C:H〈Sn〉 Composite Thin Films
Ryaguzov A., Nemkayeva R., Guseinov N.
PDF
(Eng)
Том 53, № 12 (2019)
High-Resistivity Gallium Antimonide Produced by Metal–Organic Vapor-Phase Epitaxy
Levin R., Vlasov A., Smirnov A., Pushnyi B.
PDF
(Eng)
Том 52, № 10 (2018)
Effect of Epitaxial-Structure Design and Growth Parameters on the Characteristics of Metamorphic Lasers of the 1.46-μm Optical Range Based on Quantum Dots Grown on GaAs Substrates
Maximov M., Nadtochiy A., Shernyakov Y., Payusov A., Vasil’ev A., Ustinov V., Serin A., Gordeev N., Zhukov A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 3 (2016)
On Measurements of the Electrons and Holes Impact-Ionization Coefficients in 4H–SiC
Kyuregyan A.
PDF
(Eng)
Том 53, № 9 (2019)
Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al2O3 Substrate
Sushkov A., Pavlov D., Shengurov V., Denisov S., Chalkov V., Baidus N., Rykov A., Kryukov R.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Formation and reconstruction of Se nanoislands at the surface of thin epitaxial ZnSe layers grown on GaAs substrates
Kozlovskiy V., Krivobok V., Kuznetsov P., Nikolaev S., Onistchenko E., Pruchkina A., Temiryazev A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation
Tikhomirov V., Zemlyakov V., Volkov V., Parnes Y., Vyuginov V., Lundin W., Sakharov A., Zavarin E., Tsatsulnikov A., Cherkashin N., Mizerov M., Ustinov V.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Electrical Properties of Indium-Oxide Thin Films Produced by Plasma-Enhanced Reactive Thermal Evaporation
Ilin A., Matsukatova A., Forsh P., Vygranenko Y.
PDF
(Eng)
Том 50, № 5 (2016)
Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate
Aleshkin V., Dubinov A., Kudryavtsev K., Yunin P., Drozdov M., Vikhrova O., Nekorkin S., Zvonkov B.
PDF
(Eng)
Том 50, № 2 (2016)
Influence of defects on the photoluminescence kinetics in GaN/AlN quantum-dot structures
Aleksandrov I., Zhuravlev K., Mansurov V.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates
Samartsev I., Nekorkin S., Zvonkov B., Aleshkin V., Dubinov A., Pashenkin I., Dikareva N., Chigineva A.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the ω-scanning mode
Vasil’evskii I., Pushkarev S., Grekhov M., Vinichenko A., Lavrukhin D., Kolentsova O.
PDF
(Eng)
Том 52, № 12 (2018)
On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates
Baidus N., Yunin P., Shaleev M., Reunov D., Rykov A., Novikov A., Nekorkin S., Kudryavtsev K., Krasilnik Z., Dubinov A., Aleshkin V., Yurasov D.
PDF
(Eng)
Том 50, № 4 (2016)
Possibility of the use of intermediate carbidsiliconoxide nanolayers on polydiamond substrates for gallium nitride layers epitaxy
Averichkin P., Donskov A., Dukhnovsky M., Knyazev S., Kozlova Y., Yugova T., Belogorokhov I.
PDF
(Eng)
Нәтижелер 20 - 1/20
Сыбырсөздер:
  • Негізгі сөздер тіркелімге сезімтал< / li>
  • Ағылшын предлогтары мен одақтары еленбейді
  • Әдепкі бойынша іздеу барлық негізгі сөздер үшін жасалады (агенс AND экспериенцер)
  • Белгілі бір терминді табу үшін OR қолданыңыз. білім беру OR оқыту
  • мысалы, күрделі сөз тіркестерін жасау үшін жақшаларды қолданыңыз. мұрағат ((журналдар OR конференциялар) NOT диссертациялар)
  • Нақты фразаны табу үшін, мысалы, тырнақшаларды қолданыңыз. "ғылыми зерттеулер"
  • сөзді - (сызықша) немесе not операторының көмегімен алып тастаңыз; мысалы. сұлулық байқауы< / em > немесе сұлулық байқауы< / em > < / li>
  • мысалы, нұсқа ретінде * қолданыңыз. ғылым* "ғылыми","ғылыми"және т. б. сөздерді қамтиды< / li> < / < / к-сі>