Edge Doping in Graphene Devices on SiO2 Substrates


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The conductivity of single layer and bilayer graphene ribbons 0.5–4 μm in width fabricated by oxygen plasma etching is studied experimentally. The dependence of the electron concentration in graphene on the ribbon width is revealed. This effect is explained by the edge doping of graphene due to defects arranged in SiO2 near the ribbon edges. The method of the formation of abrupt pn junctions in graphene and structures with a constant electron concentration gradient in the graphene plane with the help of edge doping is proposed.

Негізгі сөздер

Авторлар туралы

G. Vasilyeva

Ioffe Institute

Email: a_greshnov@hotmail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

D. Smirnov

Institut für Festkórperphysik, Lebniz Universitat Hannover

Email: a_greshnov@hotmail.ru
Германия, Hannover, D-30167

Yu. Vasilyev

Ioffe Institute

Email: a_greshnov@hotmail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

A. Greshnov

Ioffe Institute

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: a_greshnov@hotmail.ru
Ресей, St. Petersburg, 194021

R. Haug

Institut für Festkórperphysik, Lebniz Universitat Hannover

Email: a_greshnov@hotmail.ru
Германия, Hannover, D-30167

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2019