Anisotropy of the magnetocapacitance of structures based on PbSnTe:In/BaF2 films


Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

The angular dependences of the capacitance of structures based on PbSnTe:In films in a magnetic field B ≤ 4 T at various bias voltages, which have a distinct anisotropic pattern in the magnetic-field direction with capacitance modulation approximately by a factor of 1.5–2, are studied experimentally at T = 4.2 K. The data obtained are compared with the experimental anisotropic angular dependences of the space-charge-limited current with current modulation up to a factor of 102–104 or greater. A qualitative model of the results obtained is considered.

Авторлар туралы

A. Klimov

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Email: epov@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090

V. Epov

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: epov@isp.nsc.ru
Ресей, Novosibirsk, 630090

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Pleiades Publishing, Ltd., 2016