Technical Physics Letters
ISSN 1063-7850 (Print)
ISSN 1090-6533 (Online)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Барлық журналдар
Анықтамалық материалдар
Платформаны пайдалану бойынша нұсқаулық
RAS журналдарына арналған келісімге қол қою бойынша нұсқаулық
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
Автор бойынша
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Fullerene
Mach Number
Martensite
Shock Wave
Technical Physic Letter
dark current.
epitaxy
heterostructure
high-electron-mobility transistor
magnetic field
mass spectrum
molecular beam epitaxy
multijunction solar cell
photoluminescence
plasma
quantum dots
semiconductor laser
silicon
tokamak
wide-bandgap semiconductors
zinc oxide
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Kukushkin, S. A.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 42, № 2 (2016)
Article
Determining polytype composition of silicon carbide films by UV ellipsometry
Том 42, № 6 (2016)
Article
Molecular dynamics simulation of the indentation of nanoscale films on a substrate
Том 42, № 12 (2016)
Article
Photoemission studies of the vicinal SiC(100) 4° surface and the Cs/SiC(100) 4° interface
Том 43, № 7 (2017)
Article
The Gorsky effect in the synthesis of silicon-carbide films from silicon by topochemical substitution of atoms
Том 45, № 3 (2019)
Article
A New Type of Carbon Nanostructure on a Vicinal SiС(111)-8° Surface
Том 45, № 7 (2019)
Article
Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates
Том 45, № 11 (2019)
Article
Epitaxial Growth of Zinc Sulfide by Atomic Layer Deposition on SiC/Si Hybrid Substrates
TOP