Development of the Ge-MDST instrument structure with an induced p-type channel

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

The conditions for the growth of n-type Ge conduction layers by the HW CVD method with the parameters required to create a Ge-TIR transistor with an induced p-type channel are determined. The conditions of deposition by electron beam deposition and subsequent annealing of layers of a high-k dielectric ZrO2:Y2O3 are optimized, allowing to achieve a leakage current of 5 × 10–6 A/cm2. For the developed instrument structure, some parameters of the Ge-TIR transistor were calculated, such as the channel length, the maximum voltage between the drain and the source, and the breakdown voltage.

作者简介

N. Alyabina

Nizhegorodsky State University named after N.I. Lobachevsky

Email: asya_titova95@mail.ru
俄罗斯联邦, Nizhny Novgorod

E. Arkhipova

Institute of Microstructure Physics of the Russian Academy of Sciences

Email: asya_titova95@mail.ru
俄罗斯联邦, Afonino

Yu. Buzynin

Nizhegorodsky State University named after N.I. Lobachevsky; Institute of Microstructure Physics of the Russian Academy of Sciences

Email: asya_titova95@mail.ru
俄罗斯联邦, Nizhny Novgorod; Afonino

S. Denisov

Nizhegorodsky State University named after N.I. Lobachevsky

Email: asya_titova95@mail.ru
俄罗斯联邦, Nizhny Novgorod

A. Zdoroveishchev

Nizhegorodsky State University named after N.I. Lobachevsky

Email: asya_titova95@mail.ru
俄罗斯联邦, Nizhny Novgorod

A. Titova

Nizhegorodsky State University named after N.I. Lobachevsky

编辑信件的主要联系方式.
Email: asya_titova95@mail.ru
俄罗斯联邦, Nizhny Novgorod

V. Chalkov

Nizhegorodsky State University named after N.I. Lobachevsky

Email: asya_titova95@mail.ru
俄罗斯联邦, Nizhny Novgorod

V. Shengurov

Nizhegorodsky State University named after N.I. Lobachevsky

Email: shengurov@phys.unn.ru
俄罗斯联邦, Nizhny Novgorod

参考

  1. Neizvestny I.M. Germanium field-effect transistor (Ge MOSFET) // Bulletin of SibGUTI. 2009. No. 3. Р. 5—9.
  2. Goley P.S., Hudait M.K. Germanium Based Field-Effect Transistor: Challenges and Opportunities. Materials 2014. V.7. P. 2301—2339. doi: 10.3390/ma7032301.
  3. Yi S.H., Chang-Liao K.S., Wu T.Y., Hsu C.W., Huang J. High performance Ge pMOSFETs with HfO2/Hf-Cap/GeOx gate stack and suitable post metal annealing treatments // IEEE Trans Electron Devices. 2017. V. 37. No. 7. P. 544—547. doi: 10.1109/LED.2017.2686400.
  4. Liu H., Han G., Liu Y., Hao Y. High Mobility Ge pMOSFETs with ZrO2 Dielectric: Impacts of Post Annealing Nanoscale Research Letters 2019. V. 14. P. 202. DOI: 10.1186 / s11671-019-3037-4.
  5. Shin Y., Chung W., Seo Y., Lee C.H., Sohn D.K., Cho B.J. Demonstration of Ge pMOSFETs with 6 Å EOT using TaN/ZrO2/Zr-cap/n-Ge(100) gate stack fabricated by novel vacuum annealing and in-situ metal capping method // IEEE Symposium on VLSI Technology. 2014. P. 82—83. doi: 10.1109/VLSIT.2014.6894377.
  6. Lin C.M., Chang H.C., Chen Y.T., Wong I.H., Lan H.S., Luo S.J., Lin J.Y., Tseng Y.J., Liu C.W., Hu C., Yang F.L. Interfacial layer-free ZrO2 on Ge with 0.39-nm EOT, κ ~ 43, ~2 × 10–3 A/cm2 gate leakage, SS = 85 mV/dec, Ion/Ioff = 6 × 105, and high strain response. Electron Devices Meeting (IEDM) // 2012 IEEE International. 2012. P. 23.2.1—23.2.4.
  7. Henkel C., Abermann S., Bethge O., Pozzovivo G., Klang P., Reiche M., Bertagnolli E. Ge p-MOSFETs with scaled ALD La2O3/ZrO2 gate dielectrics // IEEE Trans Electron Devices. 2010. V.57. P. 3295—3302. doi: 10.1109/TED.2010.2081366.
  8. Seo Y., Lee T.I., Yoon C.M., Park B.E., Hwang W.S., Kim H. The impact of an ultrathin Y2O3 layer on GeO2 passivation in Ge MOS gate stacks // IEEE Trans Electron Devices. 2017. V. 64. P. 3303—3307.
  9. Kamata Y. High-k/Ge MOSFETs for Future Nanoelectronics // Materials today. 2008. V. 11. Nos. 1-2. P. 31—38. doi: 10.1016/S1369-7021 (07)70350-4.
  10. Wu N., Zhang Q., Chan D.S.H., Balasubramanian N., Zhu C. Gate-First germanium nMOSFET with CVD HfO2 gate dielectric and silicon surface passivation // IEEE Electron Device Letters. 2006. V. 27. No. 6. P. 479—491. doi: 10.1109/LED.2006.874209.
  11. Kamata Y. High-k/Ge MOSFETs for future nanoelectronics // Materials today. 2008. V. 11. No. 1. P. 30—38. doi: 10.1016/S1369-7021 (07)70350-4.
  12. Buzynin A.N., Osiko V.V., Buzynin Y.N. Fianite: a multipurpose electronics material // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2010. V. 74. No. 7. P. 1027—1033. doi: 10.3103/S1062873810070300.
  13. Buzynin A.N., Buzynin Y.N., Panov V.A. Applications of Fianite in Electronics. Advances in OptoElectronics V. 2012. P. 23. doi: 10.1155/2012/907560.
  14. Buzynin Y., Shengurov V., Zvonkov B., Buzynin A., Denisov S., Baidus N., Drozdov M., Pavlov D., Yunin P. GaAs/Ge/Si Epitaxial Substrates: Development and Characteristics. Green and Sustainable Chemistry. 2017. V. 7. No. 1. P. 015304. doi: 10.1063/1.4974498.
  15. Titova A.M., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Alyabina N.A., Zdoroveishchev A.V., Shengurov V.G. Distribution of charge carrier concentrations in epitaxial layers of Ge and GeSn grown on n+-Si(001) substrates // Physics and Technology of semiconductors. 2022. V. 56. No. 9. Р. 339—343. doi: 10.21883/FTP.2022.09.53401.36.
  16. Bean J.C., Leamy H.J., Poate J.M., Rozgonyi G.A., Sheng T.T., Williams J.S., Celler G.K. Epitaxial laser crystallization of thin‐film amorphous silicon // Applied Physics Letters. 1978. V. 33. P. 227—230. doi: 10.1063/1.90324.
  17. Nikiforov A.I., Kanter B.Z., Stenin S.I. Obtaining multilayer silicon structures by molecular beam epitaxy // Electronic Industry. 1989. No. 6. Р. 3—5.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2024

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».