Investigation of double patterning method with the usage of antispacer

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

In this paper we review double lithography method with the usage of antispacer, which allows to form structures of critical layers with sub-193i lithographic dimensions that go beyond the single extreme ultraviolet lithography limits. We present a set of key parameters affecting the process productivity and a method for optimizing the lithographic process.

Texto integral

Acesso é fechado

Sobre autores

E. Tikhonova

JSC “MERI”

Autor responsável pela correspondência
Email: etikhonova@niime.ru
Rússia, Moscow

E. Gornev

JSC “MERI”

Email: egornev@niime.ru
Rússia, Moscow

Bibliografia

  1. Krasnikov G.Ya. Potential of microelectronic technologies with topological dimensions less than 5 nm // Nanoindustry. 2020. V. 13. No. S5-1(102). P. 13–19.
  2. Kelleher A.B. Evolution of advanced lithography and patterning in the system technology co-optimization era of Moore’s law // Optical and EUV Nanolithography XXXVII. 2024. V. PC12953. P. PC1295302.
  3. Mansfield E., Barnes B., Kline R., Vladar A., Obeng Y., Davydov A. International roadmap for devices and systems 2023 edition metrology, International Roadmap for Devices and Systems (IRDS™) // [online]. 2024. https://tsapps.nist.gov/publication/get_pdf.cfm?pub_id=956664.
  4. Santaclara J. G., Peeters R., Ballegoij R., Lok S., Schoot J., Graeupner P., Kuerz P., Mallmann J., Storms G., Vanoppen P. The next step in Moore’s law: high-NA EUV introduction at the customer // Optical and EUV Nanolithography XXXVII. 2024. V. 12953. P. 129530P.
  5. Kroshilin I.S. Approaches to the Creation of a Lithograph for Russian Enterprises in the Context of Import Substitution // Information Exchange in Interdisciplinary Research III. The View of Young Scientists: Special Collection of Proceedings of the All-Russian Scientific and Practical Conference with International Participation. 2023. P. 8–12.
  6. Gushchin O.P. Some Aspects of Self-Aligned Patterning in Immersion Lithography // Electronic Engineering. Series 3: Microelectronics. 2018. No. 1(169). P. 42–53.
  7. Tikhonova E.D. Study of the Fin-layer Process Window in the Process of Self-Aligned Double Patterning // Nanoindustry. 2024. V. 17. No. S10-1(128). P. 205–207.
  8. Tikhonova E.D. Use of Spin-on-Carbon Material to Improve the Self-Aligned Double Patterning Method // Nanoindustry. 2020. V. 13. No. S5-3(102). P. 859–861.
  9. Hyatt M., Housley R., Villiers A. Antispacer process and semiconductor structure generated by the antispacer process // Pattent US: US 2014/0054756A1. 02/27/2014.
  10. Hyatt M., Huang K., DeVilliers A., Slezak M., Liu Z. Anti-spacer double patterning // Advances in Patterning Materials and Processes XXXI. 2014. V. 9051. P. 905118.
  11. Hassaan M., Saleem U., Singh A., Haque A.J., Wang K. Recent Advances in Positive Photoresists: Mechanisms and Fabrication // Materials. 2024. V. 17. P. 2552.
  12. Litavrin M.V. Extraction of empirical constants of exposure and post-exposure drying for chemically enhanced photoresists // Nanoindustry. 2024. V. 17. No. S10-2(128). P. 710–718.
  13. Murphy M., Dobson J., Grzeskowiak J., Power D., Cutler C.A., Weloth A., Conklin D. Breaching high-NA EUV dimensions with 193i anti-spacer multipatterning // Advances in Patterning Materials and Processes XLI. 2024. V. 12957. P. 1295711.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar
2. Fig. 1. Roadmap for the development of the lithographic process technology depending on the critical steps: metallization and gate [3]

Baixar (548KB)
Metadados
3. Fig. 2. Comparison of the normalized price of the lithography operation per plate depending on the technological standard [4]

Baixar (412KB)
Metadados
4. Fig. 3. Technological routes of the methods: self-aligned double lithography (SAL) using a spacer (left) and double lithography (DL) using an antispacer (right) [7, 9]

Baixar (631KB)
Metadados
5. Fig. 4. Key parameters for improving and optimizing the stages of the DL process with an antispacer

Baixar (293KB)
Metadados

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».