MULTILAYER EPITAXIAL SILICON STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS GROWN BY SUBLIMATION MOLECULAR BEAM EPITAXI

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

Multilayer silicon diode structures with basic submicron layers of n- and p-types of conductivity were grown by sublimation molecular beam epitaxy. The distribution profiles of the charge carrier concentrations (electrons and holes) were determined by the volt-farad characteristics method. The use of silicon sublimation sources cut from silicon ingots doped with phosphorus or boron makes it possible to achieve a uniform distribution of charge carrier concentrations over the thickness of the layers and an extremely sharp profile at their boundary with the Si substrate. Such structures can be successfully used for the manufacture of diodes.

About the authors

V. G. Shengurov

Lobachevsky State University

Email: shengurov@phys.unn.ru
Nizhny Novgorod, Russia

A. M. Titova

Lobachevsky State University

Email: asya_titova95@mail.ru
Nizhny Novgorod, Russia

N. A. Alyabina

Lobachevsky State University

Email: asya_titova95@mail.ru
Nizhny Novgorod, Russia

V. Yu. Chalkov

Lobachevsky State University

Email: asya_titova95@mail.ru
Nizhny Novgorod, Russia

S. A. Denisov

Lobachevsky State University

Email: asya_titova95@mail.ru
Nizhny Novgorod, Russia

A. V. Zdoroveyshchev

Lobachevsky State University

Author for correspondence.
Email: asya_titova95@mail.ru
Nizhny Novgorod, Russia

References

  1. Gusyatiner M.S., Gorbachev A.I. Semiconductor ultrahigh frequency diodes. Moscow: Radio and Communications, 1983, 224 p.
  2. Vishnyakova Z.P. Molecular beam epitaxy in semiconductor manufacturing. Reviews on electronic technology ser. 2. Semiconductor devices. Issue 7. – 1985. – P. 128.
  3. Heitzman M., Boudot M. New progress in the development of a 94-6 Hz pretuned module silicon impatt diode // IEEE Trans.Electron Devices. – 1983. – V. 30. – P. 759–763.
  4. Bean J.C. Grow of doped silicon layer by molecular beam epitaxy // Impurity doping / Ed. by FFY Wang-N.Y.: North-Holland. – 1981. – P. 177–215.
  5. Shiraki Y. Silicon molecular beam epitaxy // Ext. Abstr. 15th conf. “Solid-State Devices and Mater” Tokyo. – 1983. – P. 7–10.
  6. Methods of doping silicon layers in the process of sublimation molecular beam epitaxy / V.G. Shengurov, S.P. Svetlov, V.Yu. Chalkov et al. // Physics and technology of semiconductors. – Vol. 2. – 2006. – p. 188–194.
  7. Nutzer J.F., Abstreiter F. Comparison of P and Sb as n-dopants for Si molecular beam epitaxy // J. Appl. Phys. – 1995. – V. 78. – P. 937–940.
  8. Installation for sublimating molecular beam epitaxy of silicon / S.P. Svetlov, V.G. Shengurov, V.A. Tolomasov et al. // Instruments and techniques of experiment. 2001. No. 5. pp. 137–140.
  9. Kuznetsov V.P. On the transfer of P, As, and Al impurities from a silicon source to layers obtained by sublimation in vacuum / V.P. Kuznetsov, V.V. Postnikov // Crystallography. – 1974. – Vol. 2. – p. 346.
  10. Submicron epitaxial silicon layers doped with donor impurities during their evaporation from a silicon melt in vacuum / V.G. Shengurov, V.N. Shabanov, V.A. Rubtsova // Proceedings of the VII Conference on the Processes of Growth and Synthesis of Semiconductor crystals and Films on June 9–13, 1986, Novosibirsk, vol. 1, pp. 273–274.
  11. Shengurov V.G. Multilayer silicon structures obtained by joint evaporation from a solid phase and from a melt // Inorganic materials. – Vol. 37. – 2001. – pp. 783–787.
  12. Boron enrichment of the near–surface region of silicon in the process of sublimation / V.A. Tolomasov, V.V. Vaskin, M.I. Ovsyannikov et al. // Physics and technology of semiconductors, 1981, vol. 15, p. 104.
  13. Autoepitaxial silicon layers obtained by sublimation in vacuum from boron–doped sources / M.I. Ovsyannikov, R.G. Loginova, R.A. Rubtsova, and others // Crystallography. – 1970. – Vol. 6. – p. 1261.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML

Copyright (c) 2025 Russian Academy of Sciences

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».