Информация об авторе

Aleshkin, V. Ya.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 50, № 5 (2016) Spectroscopy, Interaction with Radiation Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate
Том 50, № 11 (2016) XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016 Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates
Том 50, № 11 (2016) XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016 Method for narrowing the directional pattern of an InGaAs/GaAs/AlGaAs multiwell heterolaser
Том 50, № 11 (2016) XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016 Magnetospectroscopy of double HgTe/CdHgTe quantum wells
Том 50, № 12 (2016) XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016 The exciton excitations and relaxation processes in low-dimensional semiconductor heterostructures with quantum wells
Том 51, № 5 (2017) Physics of Semiconductor Devices On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates
Том 51, № 10 (2017) Physics of Semiconductor Devices Dual-frequency GaAs/InGaP laser diode with a GaAsSb quantum well
Том 51, № 11 (2017) XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017 On the cascade capture of electrons at charged dipoles in weakly compensated semiconductors
Том 51, № 11 (2017) XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017 Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate
Том 51, № 11 (2017) XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017 Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates
Том 51, № 12 (2017) XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017 On the band spectrum in p-type HgTe/CdHgTe heterostructures and its transformation under temperature variation
Том 51, № 12 (2017) XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017 Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential
Том 52, № 4 (2018) XXV International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, Saint Petersburg, June 26–30, 2017. Optoelectronics, Optical Properties Magnetooptical Studies and Stimulated Emission in Narrow Gap HgTe/CdHgTe Structures in the Very Long Wavelength Infrared Range
Том 52, № 9 (2018) Physics of Semiconductor Devices Lowering the Lasing Threshold by Doping in Mid-Infrared Lasers Based on HgCdTe with HgTe Quantum Wells
Том 52, № 11 (2018) Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 Effect of Features of the Band Spectrum on the Characteristics of Stimulated Emission in Narrow-Gap Heterostructures with HgCdTe Quantum Wells
Том 52, № 11 (2018) Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 Magnetooptics of HgTe/CdTe Quantum Wells with Giant Rashba Splitting in Magnetic Fields up to 34 T
Том 52, № 11 (2018) Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 Stimulated Emission in the 1.3–1.5 μm Spectral Range from AlGaInAs Quantum Wells in Hybrid Light-Emitting III–V Heterostructures on Silicon Substrates
Том 52, № 12 (2018) Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates
Том 52, № 12 (2018) Xxii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 12–15, 2018 Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates
Том 53, № 8 (2019) Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures Submonolayer InGaAs/GaAs Quantum Dots Grown by MOCVD
Том 53, № 9 (2019) Xxiii International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 11–14, 2019 Study of the Auger Recombination Energy Threshold in a Series of Waveguide Heterostructures with HgTe/Cd0.7Hg0.3Te QWs Near 14 μm

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».