Список статей

Выпуск Название Файл
Том 53, № 6 (2019) Thermoelectric Properties of Nanocomposite Bi0.45Sb1.55Te2.985 Solid Solution with SiO2 Microparticles
Shabaldin A., Konstantinov P., Kurdyukov D., Lukyanova L., Samunin A., Stovpiaga E., Burkov A.
Том 53, № 5 (2019) Thermoelectric Properties of Sb2Te3-Based Nanocomposites with Graphite
Kulbachinskii V., Kytin V., Zinoviev D., Maslov N., Singha P., Das S., Banerjee A.
Том 53, № 5 (2019) Thermoelectric Properties of Semimetal and Semiconductor Bi1 –xSbx Foils and Wires
Nikolaeva A., Konopko L., Gherghishan I., Rogacki K., Stachowiak P., Jezowski A., Shepelevich V., Prokoshin V., Gusakova S.
Том 51, № 8 (2017) Thermoelectric properties of the Mg2Ge0.3Sn0.7 solid solution with p-type conductivity
Isachenko G., Samunin A., Zaitsev V., Gurieva E., Konstantinov P.
Том 51, № 8 (2017) Thermoelements from antimony- and bismuth-chalcogenide alloys
Ivanova L., Nikhezina I., Granatkina Y., Dudarev V., Kichik S., Mel’nikov A.
Том 53, № 2 (2019) Thermoresistive Semiconductor SiC/Si Composite Material
Brantov S., Yakimov E.
Том 53, № 6 (2019) Thick α-Ga2O3 Layers on Sapphire Substrates Grown by Halide Epitaxy
Pechnikov A., Stepanov S., Chikiryaka A., Scheglov M., Odnobludov M., Nikolaev V.
Том 52, № 4 (2018) THz Stimulated Emission from Simple Superlattice in Positive Differential Conductivity Region
Andronov A., Ikonnikov A., Maremianin K., Pozdnjakova V., Nozdrin Y., Marmalyuk A., Padalitsa A., Ladugin M., Belyakov V., Ladenkov I., Fefelov A.
Том 51, № 10 (2017) Tight-binding simulation of silicon and germanium nanocrystals
Gert A., Nestoklon M., Prokofiev A., Yassievich I.
Том 53, № 11 (2019) Time-Resolved Photoluminescence of InGaAs Nanostructures Different in Quantum Dimensionality
Nadtochiy A., Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Maximov M., Sannikov D., Yagafarov T., Zhukov A.
Том 52, № 5 (2018) TiN Nanoporous Electrode Covered by Single Cell as Bio-Electronic Sensor of Radiation Hazard
Stupin D.
Том 53, № 14 (2019) Topological Electronic States on the Surface of a Strained Gapless Semiconductor
Kibis O., Kyriienko O., Shelykh I.
Том 53, № 5 (2019) Topological Surface States of Dirac Fermions in n-Bi2Te3 –ySey Thermoelectrics
Lukyanova L., Makarenko I., Usov O., Dementev P.
Том 53, № 13 (2019) Topological Surface States of Multicomponent Thermoelectrics Based on Bismuth Telluride
Lukyanova L., Makarenko I., Usov O., Dementev P.
Том 53, № 13 (2019) Towards the Use of Cu–S Based Synthetic Minerals for Thermoelectric Applications
Gonçalves A., Lopes E.
Том 51, № 9 (2017) Transient switch-off of a 4H-SiC bipolar transistor from the deep-saturation mode
Yuferev V., Levinshtein M., Ivanov P., Zhang J., Palmour J.
Том 52, № 12 (2018) Transition between Electron Localization and Antilocalization and Manifestation of the Berry Phase in Graphene on a SiC Surface
Agrinskaya N., Lebedev A., Lebedev S., Shakhov M., Lahderanta E.
Том 50, № 8 (2016) Transition times between the extremum points of the current–voltage characteristic of a resonant tunneling diode with hysteresis
Grishakov K., Elesin V.
Том 52, № 9 (2018) Transport and Photosensitivity in Structures: A Composite Layer of Silicon and Gold Nanoparticles on p-Si
Teplyakov M., Ken O., Goryachev D., Sreseli O.
Том 52, № 4 (2018) Transport in Short-Period GaAs/AlAs Superlattices with Electric Domains
Altukhov I., Dizhur S., Kagan M., Khvalkovskiy N., Paprotskiy S., Vasil’evskii I., Vinichenko A.
Том 51, № 11 (2017) Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects
Zabavichev I., Obolenskaya E., Potekhin A., Puzanov A., Obolensky S., Kozlov V.
Том 51, № 6 (2017) Transport properties of cobalt monosilicide and its alloys at low temperatures
Burkov A., Novikov S., Zaitsev V., Reith H.
Том 51, № 7 (2017) Transport properties of heteroepitaxial films based on bismuth telluride in strong magnetic fields
Lukyanova L., Boikov Y., Usov O., Danilov V., Volkov M.
Том 52, № 14 (2018) Transverse Magneto-Optical Kerr Effect in Magnetite Covered by Array of Gold Nanostripes
Dyakov S., Pevtsov A., Gippius N., Tikhodeev S., Verbin S., Pavlov S., Yavsin D., Akimov I., Spitzer F., Bayer M.
Том 52, № 7 (2018) Transverse Nernst–Ettingshausen Effect in Superlattices Upon Electron-Phonon Scattering
Figarova S., Huseynov H., Figarov V.
1376 - 1400 из 1443 результатов << < 51 52 53 54 55 56 57 58 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».