Список статей

Выпуск Название Файл
Том 51, № 2 (2017) Photoluminescence of amorphous and crystalline silicon nanoclusters in silicon nitride and oxide superlattices
Shuleiko D., Zabotnov S., Zhigunov D., Zelenina A., Kamenskih I., Kashkarov P.
Том 51, № 10 (2017) Photoluminescence of perovskite CsPbX3 (X = Cl, Br, I) nanocrystals and solid solutions on their basis
Matyushkin L., Moshnikov V.
Том 52, № 8 (2018) Photoluminescence of ZnS:Cu in a Polymethyl Methacrylate Matrix
Smagin V., Eremina N., Leonov M.
Том 50, № 2 (2016) Photoluminescence properties of thallium-containing GeSe2 and GeSe3 vitreous semiconductors
Babaev A.
Том 52, № 7 (2018) Photoluminescence Properties of ZnO Nanorods Synthesized by Different Methods
Kurbanov S., Urolov S., Shaymardanov Z., Cho H., Kang T.
Том 50, № 9 (2016) Photoluminescence spectra of thin films of ZnTPP–C60 and CuTPP–C60 molecular complexes
Elistratova M., Zakharova I., Romanov N., Panevin V., Kvyatkovskii O.
Том 52, № 3 (2018) Photoluminescence Studies of Si-Doped Epitaxial GaAs Films Grown on (100)- and (111)A-Oriented GaAs Substrates at Lowered Temperatures
Galiev G., Klimov E., Klochkov A., Pushkarev S., Maltsev P.
Том 52, № 4 (2018) Photon Echo from an Ensemble of (In,Ga)As Quantum Dots
Babenko I., Yugova I., Poltavtsev S., Salewski M., Akimov I., Kamp M., Höfling S., Yakovlev D., Bayer M.
Том 52, № 7 (2018) Photoreflectance Spectroscopy Study of LT-GaAs Layers Grown on Si and GaAs Substrates
Avakyants L., Bokov P., Kazakov I., Bazalevsky M., Deev P., Chervyakov A.
Том 52, № 7 (2018) Photothreshold of an α-GeS Layered Crystal: First-Principles Calculation
Jahangirli Z., Hashimzade F., Huseynova D., Mehdiyev B., Mustafaev N.
Том 50, № 7 (2016) Photovoltage and photocurrent in Pd–oxide–InP structures in a hydrogen medium
Imenkov A., Grebenshchikova E., Shutaev V., Ospennikov A., Sherstnev V., Yakovlev Y.
Том 50, № 9 (2016) Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures
Khvostikov V., Kalyuzhnyy N., Mintairov S., Sorokina S., Potapovich N., Emelyanov V., Timoshina N., Andreev V.
Том 52, № 2 (2018) Physical Principles of Self-Consistent Simulation of the Generation of Interface States and the Transport of Hot Charge Carriers in Field-Effect Transistors Based on Metal–Oxide–Semiconductor Structures
Tyaginov S., Makarov A., Jech M., Vexler M., Franco J., Kaczer B., Grasser T.
Том 50, № 12 (2016) Physical properties of metal–insulator–semiconductor structures based on n-GaAs with InAs quantum dots deposited onto the surface of an n-GaAs layer
Tikhov S., Gorshkov O., Koryazhkina M., Kasatkin A., Antonov I., Vihrova O., Morozov A.
Том 51, № 5 (2017) Picosecond relaxation of band-gap renormalization induced by the Coulomb interaction of charge carriers in GaAs
Ageeva N., Bronevoi I., Zabegaev D., Krivonosov A.
Том 50, № 5 (2016) Piezoresistive and posistor effects in polymer-semiconductor and polymer-ferropiezoceramic composites
Mamedov H., Parali L., Kurbanov M., Bayramov A., Tatardar F., Sabikoglu I.
Том 52, № 11 (2018) Plasma Chemical Etching of Gallium Arsenide in C2F5Cl-Based Inductively Coupled Plasma
Okhapkin A., Yunin P., Drozdov M., Kraev S., Skorokhodov E., Shashkin V.
Том 53, № 9 (2019) Plasma-Chemical Deposition of Diamond-Like Films onto the Surface of Heavily Doped Single-Crystal Diamond
Korolyov S., Kraev S., Arkhipova E., Skorokhodov E., Bushuykin P., Shashkin V., Okhapkin A., Yunin P., Drozdov M.
Том 53, № 2 (2019) Plasmon Enhancement of the Electric Field in Mid-Infrared Ge/Si Quantum-Dot Photodetectors with Different Thicknesses of the Active Region
Bloshkin A., Yakimov A., Dvurechenskii A.
Том 52, № 4 (2018) Plasmon Resonance Induced Photoconductivity in the Yttria Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoclusters
Filatov D., Antonov I., Sinutkin D., Liskin D., Gorshkov A., Gorshkov O., Kotomina V., Shenina M., Tikhov S., Korotaeva I.
Том 50, № 9 (2016) Plasmon–phonon coupling in the infrared reflectance spectra of Bi2Se3 films
Novikova N., Yakovlev V., Kucherenko I.
Том 52, № 5 (2018) Plasmon-Excitonic Polaritons in Metal-Semiconductor Nanostructures with Quantum Wells
Kosobukin V.
Том 52, № 16 (2018) Plasmonic Enhancement of the Photoluminescence in Hybrid Structures with SiGe Quantum Dots and Ag Nanoislands
Zinovyev V., Zinovieva A., Katsuba A., Smagina Z., Dvurechenskii A., Borodavchenko O., Zhivulko V., Mudryi A.
Том 53, № 14 (2019) Plasmons in Infinite 2D Electron System Screened by the Disk-Shaped Metallic Gate
Zabolotnykh A., Volkov V.
Том 50, № 12 (2016) Polariton condensate coherence in planar microcavities in a magnetic field
Chernenko A., Rahimi-lman A., Fischer J., Amthor M., Schneider C., Reitzenstein S., Forchel A., Hoefling S.
1001 - 1025 из 1443 результатов << < 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».