Список статей

Выпуск Название Файл
Том 51, № 11 (2017) Optical thyristor based on GaAs/InGaP materials
Zvonkov B., Baidus N., Nekorkin S., Vikhrova O., Zdoroveyshev A., Kudrin A., Kotomina V.
Том 52, № 3 (2018) Optical Transitions in ZnSe and CdTe Crystals with Involvement of the Cation d Bands
Sobolev V., Perevoshchikov D.
Том 51, № 4 (2017) Optical transparency of graphene layers grown on metal surfaces
Rut’kov E., Lavrovskaya N., Sheshenya E., Gall N.
Том 53, № 6 (2019) Optically Induced Charge Exchange in ZnO-Based Composite Structures with Embedded CsPbBr3 Nanocrystals
Drozdov K., Krylov I., Chizhov A., Rumyantseva M., Ryabova L., Khokhlov D.
Том 52, № 3 (2018) Optimal Doping of Diode Current Interrupters
Kyuregyan A.
Том 51, № 8 (2017) Optimization of a segmented generating leg
Drabkin I., Osvenskii V.
Том 51, № 7 (2017) Optimization of segmented cooling leg
Drabkin I.
Том 51, № 1 (2017) Optimization of structural and growth parameters of metamorphic InGaAs photovoltaic converters grown by MOCVD
Rybalchenko D., Mintairov S., Salii R., Shvarts M., Timoshina N., Kalyuzhnyy N.
Том 50, № 2 (2016) Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation
Tikhomirov V., Zemlyakov V., Volkov V., Parnes Y., Vyuginov V., Lundin W., Sakharov A., Zavarin E., Tsatsulnikov A., Cherkashin N., Mizerov M., Ustinov V.
Том 52, № 2 (2018) Optimization of the Parameters of PbSB-based Polycrystalline Photoresistors
Miroshnikov B., Miroshnikova I., Popov A.
Том 51, № 1 (2017) Optimization of the parameters of power sources excited by β-radiation
Bulyarskiy S., Lakalin A., Abanin I., Amelichev V., Svetuhin V.
Том 52, № 1 (2018) Optimization of the Structural Properties and Surface Morphology of a Convex-Graded InxAl1–xAs (x = 0.05–0.83) Metamorphic Buffer Layer Grown via MBE on GaAs (001)
Solov’ev V., Chernov M., Sitnikova A., Brunkov P., Meltser B., Ivanov S.
Том 51, № 11 (2017) Optimization of the superlattice parameters for THz diodes
Pavelyev D., Vasilev A., Kozlov V., Obolenskaya E., Obolensky S., Ustinov V.
Том 51, № 4 (2017) Optimization of vertical cavity lasers with intracavity metal layers
Lazarenko A., Ivanov K., Gubaydullin A., Kaliteevski M.
Том 51, № 8 (2017) Optimum operating-temperature range and lifetime estimate for ZnSb:0.1 at % Cu thermoelectrics
Prokofieva L., Nasredinov F., Konstantinov P., Shabaldin A.
Том 53, № 10 (2019) Ordered Arrays of Ge(Si) Quantum Dots Incorporated into Two-Dimensional Photonic Crystals
Smagina Z., Zinovyev V., Rodyakina E., Fomin B., Stepikhova M., Yablonskiy A., Gusev S., Novikov A., Dvurechenskii A.
Том 50, № 1 (2016) Organic light-emitting diodes based on a series of new polythienothiophene complexes and highly luminescent quantum dots
Vashchenko A., Goriachiy D., Vitukhnovsky A., Tananaev P., Vasnev V., Rodlovskaya E.
Том 53, № 7 (2019) Orientation Relationships upon the Structural Transformation of Monoclinic and Cubic Phases in Silver Sulfide
Sadovnikov S., Rempel A.
Том 51, № 5 (2017) Origin of discrepancies in the experimental values of the barrier height at metal–semiconductor junctions
Askerov S., Abdullayeva L., Hasanov M.
Том 50, № 6 (2016) Oxidation model of polycrystalline lead-chalcogenide layers in an iodine-containing medium
Maraeva E., Moshnikov V., Petrov A., Tairov Y.
Том 53, № 2 (2019) Oxide Removal from the InSb Plate Surface to Produce Lateral Spin Valves
Viglin N., Gribov I., Tsvelikhovskaya V., Patrakov E.
Том 52, № 2 (2018) Oxygen Nitrogen Mixture Effect on Aluminum Nitride Synthesis by Reactive Ion Plasma Deposition
Lubyanskiy Y., Bondarev A., Soshnikov I., Bert N., Zolotarev V., Kirilenko D., Kotlyar K., Pikhtin N., Tarasov I.
Том 53, № 12 (2019) Parameters of Lateral and Unsteady Cord Currents in a Cylindrical Chalcogenide Glassy Semiconductor
Sovtus N., Mynbaev K.
Том 51, № 5 (2017) Parameters of ZnO films with p-type conductivity deposited by high-frequency magnetron sputtering
Mezdrogina M., Vinogradov A., Levitskii V., Terukova E., Kozhanova Y., Aglikov A.
Том 52, № 4 (2018) Partial Electron Localization in a Finite-Size Superlattice Placed in an Electric Field
Vlasov K., Pyataev M., Shorokhov A.
951 - 975 из 1443 результатов << < 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».