Список статей

Выпуск Название Файл
Том 51, № 8 (2017) On the propagation of charge carriers fluxes in the thin layer of a plane-parallel solid-state structure with scattering at the boundaries of the layer taken into account
Kerimi M.
Том 53, № 7 (2019) On the Properties of Isoparametric AlInGaAsP/InP Heterostructures
Alfimova D., Lunin L., Lunina M., Pashchenko A., Danilina E.
Том 50, № 12 (2016) On the radiative recombination and tunneling of charge carriers in SiGe/Si heterostructures with double quantum wells
Yablonsky A., Zhukavin R., Bekin N., Novikov A., Yurasov D., Shaleev M.
Том 51, № 3 (2017) On the size and temperature dependence of the energy gap in cadmium-selenide quantum dots embedded in fluorophosphate glasses
Lipatova Z., Kolobkova E., Babkina A., Nikonorov N.
Том 52, № 1 (2018) On the Spatial Localization of Free Electrons in 4H-SiC MOSFETS with an n Channel
Ivanov P.
Том 50, № 1 (2016) On the specific electrophysical properties of n-InSe single crystals
Abdinov A., Babaeva R., Rzaev R., Ragimova N., Amirova S.
Том 53, № 9 (2019) On the Specific Features of the Plasma-Assisted MBE Synthesis of n+-GaN Layers on GaN/c-Al2O3 Templates
Mizerov A., Timoshnev S., Nikitina E., Sobolev M., Shubin K., Berezovskaia T., Mokhov D., Lundin W., Nikolaev A., Bouravleuv A.
Том 53, № 9 (2019) On the Spin States of Electrons in a Double Quantum Dot in a Two-Dimensional Topological Insulator with Spin-Orbit Interaction
Sukhanov A., Sablikov V.
Том 51, № 5 (2017) On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates
Aleshkin V., Baidus N., Dubinov A., Krasilnik Z., Nekorkin S., Novikov A., Rykov A., Yurasov D., Yablonskiy A.
Том 53, № 6 (2019) On the Structure and Thermoelectric Properties of CoSi Obtained from a Supersaturated Solution–Melt in Sn
Solomkin F., Orekhov A., Novikov S., Arkharova N., Isachenko G., Zaitseva N., Sharenkova N., Samunin A., Klechkovskaya V., Burkov A.
Том 52, № 6 (2018) On the Structure of the Mössbauer Spectra of 119mSn Impurity Atoms in Lead Chalcogenides under Conditions of the Radioactive Equilibrium of 119mTe/119Sb Isotopes
Terukov E., Marchenko A., Seregin P., Zhukov N.
Том 53, № 9 (2019) On the Suppression of Electron-Hole Exchange Interaction in a Reservoir of Nonradiative Excitons
Eliseev S., Lovtcius V., Trifonov A., Ignatiev I., Kavokin K., Kavokin A., Shapochkin P., Efimov Y.
Том 50, № 2 (2016) On the surface photovoltaic effect in a multivalley semiconductor in an external magnetic field
Rasulov V., Rasulov R.
Том 53, № 8 (2019) On the Synthesis and Photoluminescence and Cathodoluminescence Properties of CdSe, CdTe, PbS, InSb, and GaAs Colloidal Quantum Dots
Zhukov N., Kryl’skiy D., Shishkin M., Khazanov A.
Том 51, № 2 (2017) On the theory of adsorption on graphene-like compounds
Davydov S.
Том 53, № 8 (2019) On the Theory of Plasmon–Excitons: An Estimate of the Coupling Constant and the Optical Spectrum
Averkiev N., Korotchenkov A., Kosobukin V.
Том 50, № 2 (2016) On the theory of the two-photon linear photovoltaic effect in n-GaP
Rasulov V., Rasulov R.
Том 53, № 7 (2019) On the Thermal Activation of Conductivity Electrons in a p-Type HgTe/CdHgTe Double Quantum Well with HgTe Layers of Critical Width
Podgornykh S., Yakunin M., Krishtopenko S., Popov M., Mikhailov N., Dvoretskii S.
Том 51, № 7 (2017) On the thermal conductivity of the gradient-inhomogeneous branches of thermoelements at a difference in the operating temperature
Bochegov V., Grabov V.
Том 50, № 4 (2016) On the thermoelectric properties and band gap of silicon–germanium alloys in the high-temperature region
Inglizian P., Mikheyev V., Novinkov V., Shchedrov E.
Том 51, № 2 (2017) On the thermopower and thermomagnetic properties of ErxSn1–xSe solid solutions
Huseynov J., Murguzov M., Ismayilov S., Mamedova R., Gojayev E.
Том 50, № 6 (2016) On the tin impurity in the thermoelectric compound ZnSb: Charge-carrier generation and compensation
Prokofieva L., Konstantinov P., Shabaldin A.
Том 53, № 10 (2019) On the Two-Phonon Relaxation of Excited States of Boron Acceptors in Diamond
Bekin N.
Том 52, № 8 (2018) Optical Absorption of Copper-Activated Zinc-Sulfide Polycrystalline Layers
Avanesyan V., Rakina A., Kablukova N.
Том 51, № 5 (2017) Optical an photoelectric properties odf ZnSe:Ti crystals
Nitsuk Y., Vaksman Y.
901 - 925 из 1443 результатов << < 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».