Список статей

Выпуск Название Файл
Том 50, № 11 (2016) Modulation of intersubband light absorption and interband photoluminescence in double GaAs/AlGaAs quantum wells under strong lateral electric fields
Balagula R., Vinnichenko M., Makhov I., Firsov D., Vorobjev L.
Том 52, № 8 (2018) Modulation of the Charge of Germanium MIS Structures with Fluorine-Containing Insulators
Shalimova M.
Том 53, № 8 (2019) Module of Laser-Radiation (λ = 1064 nm) Photovoltaic Converters
Khvostikov V., Kalyuzhnyy N., Mintairov S., Potapovich N., Sorokina S., Shvarts M.
Том 52, № 5 (2018) Molecular Beam Epitaxy of Materials Interfaces with Atomic Precision
Ploog K.
Том 51, № 11 (2017) Molecular-beam epitaxy of InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors
Kulagina M., Kuzmenkov A., Nevedomskii V., Guseva Y., Maleev S., Ladenkov I., Fefelova E., Fefelov A., Ustinov V., Maleev N., Belyakov V., Vasil’ev A., Bobrov M., Blokhin S.
Том 53, № 8 (2019) Molecular-Beam Epitaxy of Two-Dimensional GaSe Layers on GaAs(001) and GaAs(112) Substrates: Structural and Optical Properties
Sorokin S., Avdienko P., Sedova I., Kirilenko D., Yagovkina M., Smirnov A., Davydov V., Ivanov S.
Том 53, № 10 (2019) Molecular-Dynamics Simulation of the Low-Temperature Surface Reconstruction of a GaAs(001) Surface during the Nanoindentation Process
Prasolov N., Gutkin A., Brunkov P.
Том 53, № 14 (2019) Monopolar Resistive Switching in Diamond-Like Carbon Films
Rylkov V., Vedeneev A., Luzanov V.
Том 52, № 16 (2018) Monte Carlo Simulation of Ga Droplet Movement during the GaAs Langmuir Evaporation
Spirina A., Nastovjak A., Neizvestny I., Shwartz N.
Том 51, № 12 (2017) Morphological and spectroscopic studies on the vertically aligned zinc oxide nanorods grown on low and high temperature deposited seed layer
Rayerfrancis A., Balaji B., Ahmed N., Balaji C.
Том 50, № 1 (2016) Morphological stability of the atomically clean surface of silicon (100) crystals after microwave plasma-chemical processing
Yafarov R., Shanygin V.
Том 51, № 5 (2017) Morphology, optical, and adsorption properties of copper-oxide layers deposited from complex compound solutions
Matyushkin L., Reshetnikova A., Andronov A., Afonicheva P., Myakin S., Permiakov N., Moshnikov V.
Том 53, № 3 (2019) MOS-Hydride Epitaxy Growth of InGaAs/GaAs Submonolayer Quantum Dots for the Excitation of Surface Plasmon–Polaritons
Baidus N., Kukushkin V., Nekorkin S., Kruglov A., Reunov D.
Том 51, № 2 (2017) MSM optical detector on the basis of II-type ZnSe/ZnTe superlattice
Kuznetzov P., Averin S., Zhitov V., Zakharov L., Kotov V.
Том 50, № 5 (2016) Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range
Zhukov A., Cirlin G., Reznik R., Samsonenko Y., Khrebtov A., Kaliteevski M., Ivanov K., Kryzhanovskaya N., Maximov M., Alferov Z.
Том 51, № 3 (2017) Multilayer photosensitive structures based on porous silicon and rare-earth-element compounds: Study of spectral characteristics
Kirsanov N., Latukhina N., Lizunkova D., Rogozhina G., Stepikhova M.
Том 52, № 10 (2018) Multilayer Quantum Well–Dot InGaAs Heterostructures in GaAs-based Photovoltaic Converters
Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Nadtochiy A., Maximov M., Nevedomskiy V., Sokura L., Rouvimov S., Shvarts M., Zhukov A.
Том 52, № 11 (2018) Multiphonon Intracenter Relaxation of Boron Acceptor States in Diamond
Bekin N.
Том 50, № 11 (2016) Nanoheterostructures with improved parameters for high-speed and efficient plasmon-polariton light emitting Schottky diodes
Baidus N., Kukushkin V., Zvonkov B., Nekorkin S.
Том 52, № 5 (2018) Nanoparticle Formation in Zn+ and O+ Ion Sequentially Implanted SiO2 Film
Privezentsev V., Makunin A., Batrakov A., Ksenich S., Goryachev A.
Том 51, № 1 (2017) Nanoscale Cu2O films: Radio-frequency magnetron sputtering and structural and optical studies
Kudryashov D., Gudovskikh A., Babichev A., Filimonov A., Mozharov A., Agekyan V., Borisov E., Serov A., Filosofov N.
Том 52, № 10 (2018) Nanostructure Growth in the Ga(In)AsP–GaAs System under Quasi-Equilibrium Conditions
Karlina L., Vlasov A., Soshnikov I., Smirnova I., Ber B., Smirnov A.
Том 50, № 13 (2016) Nanostructured current sources based on carbon nanotubes excited by β radiation
Saurov A., Bulyarskiy S., Risovaniy V., Pavlov A., Abanin I., Kitsyuk E., Shamanaev A., Lebedev E.
Том 53, № 8 (2019) Nanostructured ITO/SiO2 Coatings
Markov L., Pavluchenko A., Smirnova I.
Том 50, № 6 (2016) Narrowing of the emission spectra of high-power laser diodes with a volume Bragg grating recorded in photo-thermo-refractive glass
Ivanov S., Nikonorov N., Ignat’ev A., Zolotarev V., Lubyanskiy Y., Pikhtin N., Tarasov I.
776 - 800 из 1443 результатов << < 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».