Список статей

Выпуск Название Файл
Том 53, № 1 (2019) Differential Equations for Reconstructing the Derived Anhysteretic Nonlinear I–V Characteristics of a Semiconductor Structure
Kuzmichev N., Vasyutin M.
Том 53, № 8 (2019) Diffusion and Interaction of In and As Implanted into SiO2 Films
Tyschenko I., Voelskow M., Mikhaylov A., Tetelbaum D.
Том 52, № 13 (2018) Diffusion Blurring of GaAs Quantum Wells Grown at Low Temperature
Ushanov V., Chaldyshev V., Preobrazhenskii V., Putyato M., Semyagin B.
Том 51, № 1 (2017) Diffusion of interstitial magnesium in dislocation-free silicon
Shuman V., Lavrent’ev A., Astrov Y., Lodygin A., Portsel L.
Том 51, № 10 (2017) Diffusion-Controlled growth of Ge nanocrystals in SiO2 films under conditions of ion synthesis at high pressure
Tyschenko I., Cherkov A.
Том 53, № 5 (2019) Dimensionless Mathematical Model of a Thermoelectric Cooler: ΔTmax Mode
Melnikov A., Tarasov O., Chekov A., Bashkin M.
Том 52, № 14 (2018) Diode Lasers with Near-Surface Active Region
Payusov A., Gordeev N., Serin A., Kulagina M., Kalyuzhnyy N., Mintairov S., Maximov M., Zhukov A.
Том 52, № 16 (2018) Diode Polarization and Resistive Switching in Metal/TlGaSe2 Semiconductor/Metal Devices
Seyidov M., Suleymanov R., Şale Y., Kandemir B.
Том 52, № 5 (2018) Dip-Pen Nanolithography Method for Fabrication of Biofunctionalized Magnetic Nanodiscs Applied in Medicine
Smolyarova T., Lukyanenko A., Tarasov A., Sokolov A.
Том 50, № 9 (2016) Direct exchange between silicon nanocrystals and tunnel oxide traps under illumination on single electron photodetector
Chatbouri S., Troudi M., Sghaier N., Kalboussi A., Aimez V., Drouin D., Souifi A.
Том 53, № 3 (2019) Discovery of III–V Semiconductors: Physical Properties and Application
Mikhailova M., Moiseev K., Yakovlev Y.
Том 53, № 2 (2019) Dislocation-Related Photoluminescence in Silicon Implanted with Germanium Ions
Sobolev N., Kalyadin A., Sakharov V., Serenkov I., Shek E., Parshin E., Melesov N., Simakin C.
Том 52, № 7 (2018) Diversity of Properties of Device Structures Based on Group-III Nitrides, Related to Modification of the Fractal-Percolation System
Emtsev V., Gushchina E., Petrov V., Tal’nishnih N., Chernyakov A., Shabunina E., Shmidt N., Usikov A., Kartashova A., Zybin A., Kozlovski V., Kudoyarov M., Saharov A., Oganesyan A., Poloskin D., Lundin V.
Том 53, № 6 (2019) DLTS Investigation of the Energy Spectrum of Si:Mg Crystals
Yarykin N., Shuman V., Portsel L., Lodygin A., Astrov Y., Abrosimov N., Weber J.
Том 53, № 11 (2019) Do Chemical Effects Affect the Accumulation of Structural Damage during the Implantation of Fluorine Ions into GaN?
Titov A., Karabeshkin K., Karaseov P., Struchkov A.
Том 51, № 10 (2017) Dual-frequency GaAs/InGaP laser diode with a GaAsSb quantum well
Dikareva N., Zvonkov B., Vikhrova O., Nekorkin S., Aleshkin V., Dubinov A.
Том 52, № 14 (2018) Dynamic Compression of Spinor Exciton-Polariton Systems in Semiconductor Microcavities
Demenev A., Brichkin A., Gavrilov S., Gippius N., Kulakovskii V.
Том 50, № 11 (2016) Dynamic generation of spin-wave currents in hybrid structures
Lyapilin I., Okorokov M.
Том 50, № 8 (2016) Dynamic thermoelectric model of a light-emitting structure with a current spreading layer
Sergeev V., Hodakov A.
Том 52, № 8 (2018) Dynamics of Changes in the Photoluminescence of Porous Silicon after Gamma Irradiation
Elistratova M., Poloskin D., Goryachev D., Zakharova I., Sreseli O.
Том 51, № 4 (2017) Dynamics of electron scattering in absolutely transparent channels in three-barrier structures in the case of two-photon transitions
Pashkovskii A.
Том 50, № 11 (2016) Edge and defect luminescence of powerful ultraviolet InGaN/GaN light-emitting diodes
Shamirzaev V., Gaisler V., Shamirzaev T.
Том 53, № 12 (2019) Edge Doping in Graphene Devices on SiO2 Substrates
Vasilyeva G., Smirnov D., Vasilyev Y., Greshnov A., Haug R.
Том 53, № 8 (2019) Effect of X-Ray Radiation on the Optical Properties of Photorefractive Bismuth-Silicate Crystals
Avanesyan V., Piskovatskova I., Stozharov V.
Том 52, № 13 (2018) Effect of a por-Si Buffer Layer on the Structure and Morphology of Epitaxial InxGa1 – xN/Si(111) Heterostructures
Seredin P., Leiste H., Beltiukov A., Arsentyev I., Mizerov A., Khudyakov Y., Lenshin A., Kondrashin M., Zolotukhin D., Goloshchapov D., Rinke M.
201 - 225 из 1443 результатов << < 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».