Список статей

Выпуск Название Файл
Том 53, № 2 (2019) Effect of Praseodymium and Lanthanum Substitution for Bismuth on the Thermoelectric Properties of BiCuSeO Oxyselenides
Novitskii A., Serhiienko I., Novikov S., Kuskov K., Leybo D., Pankratova D., Burkov A., Khovaylo V.
Том 52, № 6 (2018) Effect of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Photosensitivity of Si-Based Photodiodes with GeSi Nanoislands and Ge Epitaxial Layers
Ivanova M., Kachemtsev A., Mikhaylov A., Filatov D., Gorshkov A., Volkova N., Chalkov V., Shengurov V.
Том 50, № 12 (2016) Effect of random inhomogeneities in the spatial distribution of radiation-induced defect clusters on carrier transport through the thin base of a heterojunction bipolar transistor upon neutron irradiation
Puzanov A., Obolenskiy S., Kozlov V.
Том 53, № 6 (2019) Effect of Sample-Shape Imperfection on Uncertainty in Measurements of the Thermal-Conductivity by the Laser-Flash Method
Asach A., Isachenko G., Novotelnova A., Fomin V., Samusevich K., Tkhorgevskii I.
Том 53, № 13 (2019) Effect of Spark Plasma Sintering Temperature on Thermoelectric Properties of Grained Bi1.9Gd0.1Te3 Compound
Yapryntsev M., Vasil’ev A., Ivanov O., Zhezhu M.
Том 51, № 3 (2017) Effect of temperature and doping with Cu on the reflectance spectra of PbSb2Te4 crystals
Nemov S., Ulashkevich Y.
Том 50, № 7 (2016) Effect of thallium doping on the mobility of electrons in Bi2Se3 and holes in Sb2Te3
Kudryashov A., Kytin V., Lunin R., Kulbachinskii V., Banerjee A.
Том 52, № 2 (2018) Effect of the Addition of Silicon on the Properties of Germanium Single Crystals for IR Optics
Shimanskii A., Pavlyuk T., Kopytkova S., Filatov R., Gorodishcheva A.
Том 52, № 8 (2018) Effect of the Ag Nanoparticle Concentration in TiO2–Ag Functional Coatings on the Characteristics of GaInP/GaAs/Ge Photoconverters
Lunin L., Lunina M., Kravtsov A., Sysoev I., Blinov A., Pashchenko A.
Том 50, № 7 (2016) Effect of the anode-emitter injection efficiency on the characteristics of hybrid SIT–MOS transistors
Kyuregyan A., Gorbatyuk A., Ivanov B.
Том 51, № 11 (2017) Effect of the cap-layer composition on the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots
Gorshkov A., Volkova N., Voronin P., Zdoroveyshchev A., Istomin L., Pavlov D., Usov Y., Levichev S.
Том 50, № 10 (2016) Effect of the chemical composition of Cu–In–Ga–Se layers on the photoconductivity and conversion efficiency of CdS/CIGSe solar cells
Novikov G., Tsai W., Bocharov K., Rabenok E., Jeng M., Chang L., Feng W., Ao J., Sun Y.
Том 52, № 14 (2018) Effect of the Conductive Channel Cut-Off on Operation of n+nn+ GaN NW-Based Gunn Diode
Mozharov A., Vasiliev A., Komissarenko F., Bolshakov A., Sapunov G., Fedorov V., Cirlin G., Mukhin I.
Том 53, № 3 (2019) Effect of the Copper Content on the Kinetics of the Microwave Photoconductivity of CIGS Solid Solutions
Novikov G., Rabenok E., Orishina P., Gapanovich M., Odin I.
Том 52, № 6 (2018) Effect of the Dehydrogenation of Graphane on Its Mechanical and Electronic Properties
Openov L., Podlivaev A.
Том 50, № 1 (2016) Effect of the dopant concentration on the luminescence properties of InGaAs/GaAs spin light-emitting diodes with a mn δ layer
Rykov A., Dorokhin M., Malysheva E., Demina P., Vikhrova O., Zdoroveishev A.
Том 53, № 1 (2019) Effect of the Electric Mode and γ Irradiation on Surface-Defect Formation at the Si–SiO2 Interface in a MOS Transistor
Kulikov N., Popov V.
Том 51, № 3 (2017) Effect of the energy of bombarding electrons on the conductivity of n-4H-SiC (CVD) epitaxial layers
Kozlovski V., Lebedev A., Strel’chuk A., Davidovskaya K., Vasil’ev A., Makarenko L.
Том 50, № 2 (2016) Effect of the fabrication conditions of SiGe LEDs on their luminescence and electrical properties
Kalyadin A., Sobolev N., Strel’chuk A., Aruev P., Zabrodskiy V., Shek E.
Том 53, № 2 (2019) Effect of the Hydrogen Concentration on the Pd/n-InP Schottky Diode Photocurrent
Grebenshchikova E., Sidorov V., Shutaev V., Yakovlev Y.
Том 50, № 10 (2016) effect of the parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN heterostructures with a two-dimensional electron gas on their electrical properties and the characteristics of transistors on their basis
Tsatsulnikov A., Lundin V., Zavarin E., Yagovkina M., Sakharov A., Usov S., Zemlyakov V., Egorkin V., Bulashevich K., Karpov S., Ustinov V.
Том 52, № 15 (2018) Effect of the Plasma Functionalization of Carbon Nanotubes on the Formation of a Carbon Nanotube–Nickel Oxide Composite Electrode Material
Alekseyev A., Lebedev E., Gavrilin I., Kitsuk E., Ryazanov R., Dudin A., Polokhin A., Gromov D.
Том 53, № 12 (2019) Effect of the Samarium Impurity on the Local Structure of Se95Te5 Chalcogenide Glassy Semiconductor and Current Passage through Al–Se95Te5〈Sm〉–Te Structures
Ataeva S., Mekhtieva S., Isaev A., Garibova S., Huseynova A.
Том 52, № 6 (2018) Effect of the Sapphire-Nitridation Level and Nucleation-Layer Enrichment with Aluminum on the Structural Properties of AlN Layers
Malin T., Milakhin D., Mansurov V., Galitsyn Y., Kozhuhov A., Ratnikov V., Smirnov A., Davydov V., Zhuravlev K.
Том 51, № 13 (2017) Effect of the Structural Quality of Quantum-Well Layers of Gallium-Nitride Heterostructures on Their Radiative Characteristics
Vigdorovich E., Ermoshin I.
276 - 300 из 1443 результатов << < 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».