Список статей

Выпуск Название Файл
Том 50, № 11 (2016) Effect of a low-temperature-grown GaAs layer on InAs quantum-dot photoluminescence
Kosarev A., Chaldyshev V., Preobrazhenskii V., Putyato M., Semyagin B.
Том 53, № 4 (2019) Effect of a Second-Order Phase Transition on the Electrical Conductivity of Metal/Semiconductor Structures
Nabiullin I., Gadiev R., Lachinov A.
Том 51, № 1 (2017) Effect of active-region “volume” on the radiative properties of laser heterostructures with radiation output through the substrate
Nekorkin S., Zvonkov B., Baidus N., Dikareva N., Vikhrova O., Afonenko A., Ushakov D.
Том 51, № 12 (2017) Effect of Ag in CdSe thin films prepared using thermal evaporation
Santhosh T., Bangera K., Shivakumar G.
Том 51, № 8 (2017) Effect of ammonium-sulfide solvent on the surface passivation of GaSb (100)
Lebedev M., Lvova T., Pavlov S., Sedova I.
Том 50, № 8 (2016) Effect of an increase in the density of collision cascades on the efficiency of the generation of primary displacements during the ion bombardment of Si
Karabeshkin K., Karaseov P., Titov A.
Том 51, № 6 (2017) Effect of anion and cation substitution in tungsten disulfide and tungsten diselenide on conductivity and thermoelectric power
Yakovleva G., Romanenko A., Berdinsky A., Kuznetsov V., Ledneva A., Artemkina S., Fedorov V.
Том 53, № 16 (2019) Effect of Annealing on Luminescence of InGaN/GaN Structures Etched by a Focused Ion Beam
Sakharov A., Kaliteevskii M., Voznyuk G., Levitskii I., Mitrofanov M., Tsatsulnikov A., Lundin W., Rodin S., Usov S., Evtikhiev V.
Том 53, № 8 (2019) Effect of Bismuth on the Properties of Elastically Stressed AlGaInAsP〈Bi〉/InP Heterostructures
Lunina M., Lunin L., Alfimova D., Pashchenko A., Danilina E., Nefedov V.
Том 52, № 7 (2018) Effect of Boron Impurity on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures Formed in Silicon by Si+ Ion Implantation
Tereshchenko A., Korolev D., Mikhaylov A., Belov A., Nikolskaya A., Pavlov D., Tetelbaum D., Steinman E.
Том 50, № 5 (2016) Effect of cadmium-selenide quantum dots on the conductivity and photoconductivity of nanocrystalline indium oxide
Il’in A., Fantina N., Martyshov M., Forsh P., Chizhov A., Rumyantseva M., Gaskov A., Kashkarov P.
Том 52, № 6 (2018) Effect of Chemical Treatment of a Silicon Surface on the Quality and Structure of Silicon-Carbide Epitaxial Films Synthesized by Atom Substitution
Kalinkin I., Kukushkin S., Osipov A.
Том 52, № 9 (2018) Effect of Conditions of Electrochemical Etching on the Morphological, Structural, and Optical Properties of Porous Gallium Arsenide
Seredin P., Lenshin A., Fedyukin A., Goloshchapov D., Lukin A., Arsentyev I., Zhabotinsky A.
Том 50, № 7 (2016) Effect of coulomb correlations on luminescence and absorption in compensated semiconductors
Bogoslovskiy N., Petrov P., Ivánov Y., Averkiev N., Tsendin K.
Том 52, № 7 (2018) Effect of Deep Centers on Charge-Carrier Confinement in InGaN/GaN Quantum Wells and on LED Efficiency
Bochkareva N., Shreter Y.
Том 52, № 8 (2018) Effect of Deep Centers on the Statistical Delay of Microplasma Breakdown in Gallium-Arsenide Light-Emitting Diodes
Ionychev V., Shesterkina A.
Том 51, № 6 (2017) Effect of deposition temperature on the structure and optical properties of zinc-selenide films produced by radio-frequency magnetron sputtering
Kobziev V., Zakirova R., Kostenkov N., Krylov P., Fedotova I.
Том 53, № 13 (2019) Effect of Deposition Time on Structural, Morphological and Optical Properties of PVA Capped SnS Films Grown by CBD Process
Devi P., Reddy G., Reddy K.
Том 52, № 2 (2018) Effect of Dislocation-related Deep Levels in Heteroepitaxial InGaAs/GaAs and GaAsSb/GaAs p–i–n Structures on the Relaxation time of Nonequilibrium Carriers
Sobolev M., Soldatenkov F.
Том 51, № 7 (2017) Effect of doping with rare-earth elements (Eu, Tb, Dy) on the conductivity of Bi2Te3 layered single crystals
Abdullayev N., Jafarli K., Aliguliyeva K., Aliyeva L., Kahramanov S., Nemov S.
Том 51, № 11 (2017) Effect of electric field on the ratio between the rashba and dresselhaus parameters in III–V heterostructures
Degtyarev V., Khazanova S., Konakov A.
Том 51, № 8 (2017) Effect of electrolyte temperature on the cathodic deposition of Ge nanowires on in and Sn particles in aqueous solutions
Gavrilin I., Gromov D., Dronov A., Dubkov S., Volkov R., Trifonov A., Borgardt N., Gavrilov S.
Том 53, № 4 (2019) Effect of Electron Irradiation with an Energy of 0.9 MeV on the I–V Characteristics and Low-Frequency Noise in 4H–SiC pin Diodes
Dobrov V., Kozlovski V., Mescheryakov A., Usychenko V., Chernova A., Shabunina E., Shmidt N.
Том 52, № 7 (2018) Effect of Electron–Phonon Interaction on the Conductivity and Work Function of Epitaxial Graphene
Davydov S.
Том 51, № 9 (2017) Effect of electrostatic shielding on the photoelectric properties of heterostructures with deep QWs
Danilov L., Mikhailova M., Andreev I., Zegrya G.
226 - 250 из 1443 результатов << < 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».