Список статей

Выпуск Название Файл
Том 53, № 4 (2019) Electrical Characterization of Hybrid Halide Perovskites Based Heterojunction Device
Jyoti Chaudhary ., Choudhary S., Negi C., Gupta S., Verma A.
Том 51, № 13 (2017) Electrical Conductivity of Film Composites Based on Polyvinyledene Fluoride with Carbon Nanotubes
Solnyshkin A., Kislova I., Belov A., Sysa A., Stroganov A., Shevjakov V., Silibin M., Mihalchan A., Lysenko A.
Том 50, № 8 (2016) Electrical, optical, and photoluminescence properties of ZnO films subjected to thermal annealing and treatment in hydrogen plasma
Abdullin K., Gabdullin M., Gritsenko L., Ismailov D., Kalkozova Z., Kumekov S., Mukash Z., Sazonov A., Terukov E.
Том 50, № 9 (2016) Electrical parameters of polycrystalline Sm1–xEuxS rare-earth semiconductors
Kaminskii V., Kazanin M., Romanova M., Kamenskaya G., Sharenkova N.
Том 52, № 9 (2018) Electrical Properties and Energy Parameters of n-FeS2/p-Cd1 –xZnxTe Heterojunctions
Orletskyi I., Ilashchuk M., Solovan M., Maryanchuk P., Parfenyuk O., Maistruk E., Nichyi S.
Том 51, № 12 (2017) Electrical properties and the determination of interface state density from I–V, C–f and G–f measurements in Ir/Ru/n-InGaN Schottky barrier diode
Padma R., Rajagopal Reddy V.
Том 51, № 2 (2017) Electrical properties and transport mechanisms in phase change memory thin films of quasi-binary-line GeTe–Sb2Te3 chalcogenide semiconductors
Sherchenkov A., Kozyukhin S., Lazarenko P., Babich A., Bogoslovskiy N., Sagunova I., Redichev E.
Том 52, № 7 (2018) Electrical Properties of p-NiO/n-Si Heterostructures Based on Nanostructured Silicon
Parkhomenko H., Solovan M., Maryanchuk P.
Том 52, № 12 (2018) Electrical Properties of GaAs Nanowires Grown on Graphene/SiC Hybrid Substrates
Alekseev P., Dunaevskiy M., Mikhailov A., Lebedev S., Lebedev A., Ilkiv I., Khrebtov A., Bouravleuv A., Cirlin G.
Том 52, № 12 (2018) Electrical Properties of Indium-Oxide Thin Films Produced by Plasma-Enhanced Reactive Thermal Evaporation
Ilin A., Matsukatova A., Forsh P., Vygranenko Y.
Том 51, № 6 (2017) Electrical properties of ZnSe crystals doped with transition elements
Nitsuk Y., Vaksman Y.
Том 53, № 13 (2019) Electrical Transport Properties of Nb and Ga Double Substituted Fe2VAl Heusler Compounds
Voronin A., Serhiienko I., Ashim Y., Kurichenko V., Novitskii A., Inerbaev T., Umetsu R., Khovaylo V.
Том 52, № 12 (2018) Electrical Tunability of Terahertz Amplification in a Periodic Plasmon Graphene Structure with Charge-Carrier Injection
Polischuk O., Fateev D., Popov V.
Том 52, № 2 (2018) Electrically Active States of Charge Capture and Transfer Causing Slow Recombination in Thallium-Bromide Crystals at Low Temperatures
Kažukauskas V., Garbačauskas R., Savicki S.
Том 52, № 9 (2018) Electric-Field Behavior of the Resonance Features of the Tunneling Photocurrent Component in InAs(QD)/GaAs Heterostructures
Orlov M., Volkova N., Ivina N., Orlov L.
Том 51, № 9 (2017) Electric-field sensor based on a double quantum dot in a microcavity
Tsukanov A., Chekmachev V.
Том 50, № 2 (2016) Electrochemical characteristics of nanostructured silicon anodes for lithium-ion batteries
Astrova E., Li G., Rumyantsev A., Zhdanov V.
Том 51, № 13 (2017) Electrochemical Deposition of Permalloy Films for Magneto-Semiconductor Microsystems
Amelichev V., Polomoshnov S., Nikolaeva N., Tikhonov R., Kupriyanova M.
Том 50, № 7 (2016) Electrochemical lithiation of silicon with varied crystallographic orientation
Astrova E., Rumyantsev A., Li G., Nashchekin A., Kazantsev D., Ber B., Zhdanov V.
Том 51, № 7 (2017) Electrochemical studies of copper-doping processes in layered crystals of the family [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]m[(Bi,Sb)2(Te,Se)3]n (m, n = 0, 1, 2…)
Kretova M., Korzhuev M., Avilov E.
Том 50, № 11 (2016) Electroluminescence from MIS silicon-based light emitters with arrays of self-assembled Ge(Si) nanoislands
Shmagin V., Vdovichev S., Morozova E., Novikov A., Shaleev M., Shengurov D., Krasilnik Z.
Том 53, № 1 (2019) Electroluminescence in n-GaSb/InAs/p-GaSb Heterostructures with a Single Quantum Well Grown by MOVPE
Mikhailova M., Ivanov E., Danilov L., Levin R., Andreev I., Kunitsyna E., Yakovlev Y.
Том 51, № 2 (2017) Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K
Mynbaev K., Bazhenov N., Semakova A., Mikhailova M., Stoyanov N., Kizhaev S., Molchanov S., Astakhova A., Chernyaev A., Lipsanen H., Bougrov V.
Том 50, № 12 (2016) Electroluminescence of structures with self-assembled Ge(Si) nanoislands confined between strained Si layers
Baidakova N., Novikov A., Shaleev M., Yurasov D., Morozova E., Shengurov D., Krasilnik Z.
Том 50, № 2 (2016) Electroluminescence properties of LEDs based on electron-irradiated p-Si
Sobolev N., Shtel’makh K., Kalyadin A., Aruev P., Zabrodskiy V., Shek E., Yang D.
326 - 350 из 1443 результатов << < 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».