Список статей

Выпуск Название Файл
Том 53, № 13 (2019) Mg-Doped ZnO and Zn-Doped MgO Semiconductor Nanoparticles; Synthesis and Catalytic, Optical and Electro-Optical Characterization
Parvizi E., Tayebee R., Koushki E.
Том 50, № 3 (2016) Microdisk Injection Lasers for the 1.27-μm Spectral Range
Kryzhanovskaya N., Maximov M., Blokhin S., Bobrov M., Kulagina M., Troshkov S., Zadiranov Y., Lipovskii A., Moiseev E., Kudashova Y., Livshits D., Ustinov V., Zhukov A.
Том 52, № 16 (2018) Microlens-Enhanced Substrate Patterning and MBE Growth of GaP Nanowires
Bolshakov A., Cirlin G., Mukhin M., Shkoldin V., Shugurov K., Mozharov A., Sapunov G., Fedorov V., Dvoretckaia L., Mukhin I.
Том 52, № 16 (2018) Microstructural Evolution of MOVPE Grown GaN by the Carrier Gas
Demir I., Altuntas I., Kasapoğlu A., Mobtakeri S., Gür E., Elagoz S.
Том 53, № 13 (2019) Microstructure and Optical Bandgap of Cobalt Selenide Nanofilms
Ghobadi N., Habibi M., Rezaee S., Ţălu Ş., Shakoury R., Arman A., Luna C., Amiri F., Naderi S., Hafezi F., Mardani M.
Том 52, № 2 (2018) Microstructure and Raman Scattering of Cu2ZnSnSe4 Thin Films Deposited onto Flexible Metal Substrates
Stanchik A., Gremenok V., Bashkirov S., Tivanov M., Juškénas R., Novikov G., Giraitis R., Saad A.
Том 53, № 14 (2019) Microwave Absorption by Axisymmetric Plasmon Mode in 2D Electron Disk
Zagorodnev I., Rodionov D., Zabolotnykh A., Volkov V.
Том 53, № 10 (2019) Microwave Magnetic Absorption in HgSe with Co and Ni Impurities
Veinger A., Kochman I., Frolov D., Okulov V., Govorkova T., Paranchich L.
Том 52, № 8 (2018) Microwave Magnetoabsorption Oscillations in Fe-Doped HgSe Crystals
Veinger A., Kochman I., Okulov V., Andriichuk M., Paranchich L.
Том 50, № 12 (2016) Microwave-signal generation in a planar Gunn diode with radiation exposure taken into account
Obolenskaya E., Tarasova E., Churin A., Obolensky S., Kozlov V.
Том 53, № 5 (2019) Miniature Thermoelectric Modules Developed for Cycling Applications
Volkov M., Drabkin I., Ershova L., Nazarenko A.
Том 53, № 5 (2019) Miniaturized Heat-Flux Sensor Based on a Glass-Insulated Bi–Sn Microwire
Konopko L., Nikolaeva A., Huber T., Kobylianskaya A.
Том 51, № 8 (2017) Mn0.1Ag0.9In4.7S7.6 single crystals: Crystal structure, band gap, and thermal expansion
Bodnar I., Tkhan C.
Том 52, № 1 (2018) Mobility of the Two-Dimensional Electron Gas in DA-pHEMT Heterostructures with Various δ–n-Layer Profile Widths
Protasov D., Bakarov A., Toropov A., Ber B., Kazantsev D., Zhuravlev K.
Том 50, № 3 (2016) Model Development for Current–Voltage and Transconductance Characteristics of Normally-off AlN/GaN MOSHEMT
Swain R., Jena K., Lenka T.
Том 52, № 6 (2018) Model for Charge Accumulation in n- and p-MOS Transistors during Tunneling Electron Injection from a Gate
Aleksandrov O., Mokrushina S.
Том 50, № 3 (2016) Model of Adsorption on Amorphous Graphene
Davydov S.
Том 52, № 14 (2018) Model of Metamaterial Based on Graphene Scrolls and Carbon Nanotubes with Negative Refractive Index
Siahlo A., Poklonski N., Vyrko S., Ratkevich S.
Том 53, № 12 (2019) Modification of Carbon-Nanotube Wettability by Ion Irradiation
Morkovkin A., Vorobyeva E., Evseev A., Balakshin Y., Shemukhin A.
Том 52, № 7 (2018) Modification of Photoconductivity Spectra in ZnO–CdSe Quantum- Dot Composites upon Exposure to Additional Photoexcitation
Drozdov K., Krylov I., Chizhov A., Rumyantseva M., Ryabova L., Khokhlov D.
Том 52, № 3 (2018) Modification of Photovoltaic Laser-Power (λ = 808 nm) Converters Grown by LPE
Khvostikov V., Sorokina S., Potapovich N., Khvostikova O., Timoshina N., Shvarts M.
Том 52, № 11 (2018) Modification of the Ferromagnetic Properties of Si1 –xMnx Thin Films Synthesized by Pulsed Laser Deposition with a Variation in the Buffer-Gas Pressure
Novodvorsky O., Mikhalevsky V., Gusev D., Lotin A., Parshina L., Khramova O., Cherebylo E., Drovosekov A., Rylkov V., Nikolaev S., Chernoglazov K., Maslakov K.
Том 51, № 5 (2017) Modification of the surface of GaAs and observation of surface enhanced Raman scattering after the diffusion of indium
Vlasov A., Karlina L., Komissarenko F., Ankudinov A.
Том 51, № 13 (2017) Modification of the Surface of Nickel by the Femtosecond Laser Pulses
Kostishko B., Svetukhin V., Yavtushenko I.
Том 51, № 4 (2017) Modification of the thermal relaxation kinetics of the photoinduced (at T = 425 K) metastable dark conductivity of a-Si:H films by weak illumination during the initial stage of relaxation
Kurova I., Ormont N.
751 - 775 из 1443 результатов << < 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».