Список статей

Выпуск Название Файл
Том 52, № 13 (2018) Interaction Rates of Group-III and Group-V Impurities with Intrinsic Point Defects in Irradiated Si and Ge
Emtsev V., Abrosimov N., Kozlovski V., Poloskin D., Oganesyan G.
Том 52, № 9 (2018) Intercalation of C60 Fullerene Molecules under Single-Layer Graphene on Molybdenum Carbide
Rut’kov E., Gall N.
Том 51, № 10 (2017) Interdiffusion and phase formation in the Fe–TiO2 thin-film system
Afonin N., Logacheva V.
Том 52, № 2 (2018) Intraband Radiation Absorption by Holes in InAsSb/AlSb and InGaAsP/InP Quantum Wells
Pavlov N., Zegrya G., Zegrya A., Bugrov V.
Том 52, № 13 (2018) Intracenter Radiative Transitions at Tantalum Impurity Centers in Cadmium Telluride
Ushakov V., Aminev D., Krivobok V.
Том 52, № 15 (2018) Investigating the RTA Treatment of Ohmic Contacts to n-Layers of Heterobipolar Nanoheterostructures
Egorkin V., Zemlyakov V., Nezhentsev A., Garmash V.
Том 53, № 4 (2019) Investigation into the Distribution of Built-in Electric Fields in LED Heterostructures with Multiple GaN/InGaN Quantum Wells by Electroreflectance Spectroscopy
Aslanyan A., Avakyants L., Bokov P., Chervyakov A.
Том 53, № 7 (2019) Investigation into the Influence of a Buffer Layer of Nanoporous Silicon on the Atomic and Electronic Structure and Optical Properties of AIIIN/por-Si Heterostructures Grown by Plasma-Activated Molecular-Beam Epitaxy
Seredin P., Lenshin A., Zolotukhin D., Goloshchapov D., Mizerov A., Arsentyev I., Beltyukov A.
Том 53, № 1 (2019) Investigation into the Memristor Effect in Nanocrystalline ZnO Films
Smirnov V., Tominov R., Avilov V., Alyabieva N., Vakulov Z., Zamburg E., Khakhulin D., Ageev O.
Том 53, № 3 (2019) Investigation into the Radiation Hardness of Photodiodes Based on Silicon-on-Sapphire Structures
Kabalnov Y., Trufanov A., Obolensky S.
Том 52, № 1 (2018) Investigation of a Polariton Condensate in Micropillars in a High Magnetic Field
Chernenko A., Brichkin A., Novikov S., Schneider C., Hoefling S.
Том 53, № 11 (2019) Investigation of Composition Uniformity in Thickness of GaInAsP Layers Grown on InP Substrates by Vapor-Phase Epitaxy
Gagis G., Levin R., Marichev A., Pushnyi B., Scheglov M., Ber B., Kazantsev D., Kudriavtsev Y., Vlasov A., Popova T., Chistyakov D., Kuchinskii V., Vasil’ev V.
Том 52, № 16 (2018) Investigation of DC and RF Performance of Novel MOSHEMT on Silicon Substrate for Future Submillimetre Wave Applications
Ajayan J., Ravichandran T., Mohankumar P., Prajoon P., Pravin J., Nirmal D.
Том 51, № 12 (2017) Investigation of HgCdTe waveguide structures with quantum wells for long-wavelength stimulated emission
Rumyantsev V., Kadykov A., Fadeev M., Dubinov A., Utochkin V., Mikhailov N., Dvoretskii S., Morozov S., Gavrilenko V.
Том 52, № 16 (2018) Investigation of InGaAs/GaAs Quantum Well Lasers with Slightly Doped Tunnel Junction
Yajie Li ., Wang P., Meng F., Yu H., Zhou X., Wang H., Pan J.
Том 50, № 3 (2016) Investigation of Ion-Implanted Photosensitive Silicon Structures by Electrochemical Capacitance–Voltage Profiling
Yakovlev G., Frolov D., Zubkova A., Levina E., Zubkov V., Solomonov A., Sterlyadkin O., Sorokin S.
Том 51, № 4 (2017) Investigation of spatial distribution of photocurrent in the plane of a Si p–n photodiode with GeSi nanoislands by scanning near-field optical microscopy
Filatov D., Kazantseva I., Shengurov V., Chalkov V., Denisov S., Gorshkov A., Mishkin V.
Том 52, № 11 (2018) Investigation of the Anisotropy of the Structural Properties of GaN(0001) Layers Grown by MOVPE on a-Plane (11\(\bar {2}\)0) Sapphire
Yunin P., Drozdov Y., Khrykin O., Grigoryev V.
Том 52, № 7 (2018) Investigation of the Characteristics of Heterojunction Solar Cells Based on Thin Single-Crystal Silicon Wafers
Terukov E., Abramov A., Andronikov D., Emtsev K., Panaiotti I., Titov A., Shelopin G.
Том 53, № 8 (2019) Investigation of the Current–Voltage Characteristics of New MnO2/GaAs(100) and V2O5/GaAs(100) Heterostructures Subjected to Heat Treatment
Sladkopevtsev B., Kotov G., Arsentyev I., Shashkin I., Mittova I., Tomina E., Samsonov A., Kostenko P.
Том 52, № 4 (2018) Investigation of the Dielectric Permittivity and Electrical Conductivity of Ce2S3
Zalessky V., Kaminski V., Hirai S., Kubota Y., Sharenkova N.
Том 50, № 10 (2016) Investigation of the fabrication processes of AlGaN/AlN/GaN НЕМТs with in situ Si3N4 passivation
Tomosh K., Pavlov A., Pavlov V., Khabibullin R., Arutyunyan S., Maltsev P.
Том 52, № 2 (2018) Investigation of the Far-IR Reflection Spectra of SmS Single Crystals and Polycrystals in the Homogeneity Range
Ulashkevich Y., Kaminskiy V., Romanova M., Sharenkova N.
Том 53, № 15 (2019) Investigation of the Initial Silicon-on-Sapphire Layer Formed by CVD Techniques
Fedotov S., Sokolov E., Statsenko V., Romashkin A., Timoshenkov S.
Том 52, № 1 (2018) Investigation of the Modified Structure of a Quantum Cascade Laser
Mamutin V., Maleev N., Vasilyev A., Ilyinskaya N., Zadiranov Y., Usikova A., Yagovkina M., Shernyakov Y., Ustinov V.
626 - 650 из 1443 результатов << < 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».