Список статей

Выпуск Название Файл
Том 51, № 11 (2017) MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate
Reznik R., Kotlyar K., Shtrom I., Soshnikov I., Kukushkin S., Osipov A., Cirlin G.
Том 52, № 13 (2018) McCurdy’s Effects in the Thermal Conductivity of Elastically Anisotropic Crystals in the Mode of Knudsen Phonon-Gas Flow
Kuleyev I., Kuleyev I., Bakharev S.
Том 52, № 13 (2018) Measurement of the Charge-Carrier Mobility in Gallium Arsenide Using a Near-Field Microwave Microscope by the Microwave-Magnetoresistance Method
Usanov D., Postelga A., Kalyamin A., Sharov I.
Том 51, № 10 (2017) Measurement of the lifetimes of vibrational states of DNA molecules in functionalized complexes of semiconductor quantum dots
Bayramov F., Poloskin E., Chernev A., Toropov V., Dubina M., Bairamov B.
Том 51, № 7 (2017) Measurement of the thickness of block-structured bismuth films by atomic-force microscopy combined with selective chemical etching
Demidov E., Komarov V., Krushelnitckii A., Suslov A.
Том 50, № 13 (2016) Measurements of electrophysical characteristics of semiconductor structures with the use of microwave photonic crystals
Usanov D., Nikitov S., Skripal A., Ponomarev D., Latysheva E.
Том 52, № 15 (2018) Measuring the Effective Masses of the Electrical Conductivity and Density of States by Contactless Microwave Means
Usanov D., Postelga A., Gurov K.
Том 52, № 3 (2018) Mechanism and Behavior of the Light Flux Decrease in Light-Emitting Diodes Based on AlGaN/InGaN/GaN Structures with Quantum Wells upon Prolonged Direct-Current Flow of Various Densities
Manyakhin F.
Том 53, № 3 (2019) Mechanism and Features of Field Emission in Semiconductors
Zhukov N., Mikhailov A., Mosiyash D.
Том 50, № 10 (2016) Mechanism of microplasma turn-off upon the avalanche breakdown of silicon p–n structures
Musaev A.
Том 51, № 10 (2017) Mechanism of resistive switching in films based on partially fluorinated graphene
Ivanov A., Nebogatikova N., Kurkina I., Antonova I.
Том 53, № 11 (2019) Mechanism of Singlet-Oxygen Generation on the Surface of Excited Nanoporous Silicon
Samosvat D., Chikalova-Luzina O., Zegrya G.
Том 52, № 3 (2018) Mechanism of the Generation of Donor–Acceptor Pairs in Heavily Doped n-ZrNiSn with the Ga Acceptor Impurity
Romaka V., Rogl P., Frushart D., Kaczorowski D.
Том 52, № 1 (2018) Mechanism of the Semiconductor–Metal Phase Transition in Sm1–xGdxS Thin Films
Kaminsky V., Soloviev S., Khavrov G., Sharenkova N.
Том 50, № 1 (2016) Mechanisms of the degradation of Schottky-barrier photodiodes based on ZnS single crystals
Korsunska N., Shulga E., Stara T., Litvin P., Bondarenko V.
Том 50, № 12 (2016) Mercury vacancies as divalent acceptors in HgyTe1 – y/CdxHg1 – xTe structures with quantum wells
Fadeev M., Varavin V., Mikhailov N., Dvoretsky S., Gavrilenko V., Teppe F., Kozlov D., Rumyantsev V., Morozov S., Kadykov A.
Том 53, № 12 (2019) Metal-Assisted Photochemical Etching of N- and Ga-Polar GaN Epitaxial Layers
Mokhov D., Berezovskaya T., Nikitina E., Shubina K., Mizerov A., Bouravleuv A.
Том 52, № 5 (2018) Metal-Semiconductor Nanoheterostructures with an AlGaN Quantum Well and In Situ Formed Surface Al Nanoislands
Evropeytsev E., Semenov A., Nechaev D., Jmerik V., Kaibyshev V., Troshkov S., Brunkov P., Usikova A., Ivanov S., Toropov A.
Том 52, № 14 (2018) Metastable Bound States of the Two-Dimensional Bimagnetoexcitons in the Lowest Landau Levels Approximation
Moskalenko S., Khadzhi P., Podlesny I., Dumanov E., Liberman M., Zubac I.
Том 50, № 6 (2016) Method for increasing the carrier mobility in the channel of the 4H-SiC MOSFET
Mikhaylov A., Afanasyev A., Ilyin V., Luchinin V., Reshanov S., Schöner A.
Том 50, № 11 (2016) Method for narrowing the directional pattern of an InGaAs/GaAs/AlGaAs multiwell heterolaser
Baydus N., Nekorkin S., Kolpakov D., Ershov A., Aleshkin V., Dubinov A., Afonenko A.
Том 50, № 2 (2016) Method for optimizing the parameters of heterojunction photovoltaic cells based on crystalline silicon
Kryuchenko Y., Kostylyov V., Sokolovskyi I., Abramov A., Bobyl A., Panaiotti I., Terukov E., Sachenko A.
Том 50, № 13 (2016) Method of investigation of galvanomagnetic properties of CdxHg1 − xTe and CdxHg1 − xTe/Cd1 − yZnyTe
Golubyatnikov V., Lysenko A., Belov A., Kanevskii V.
Том 50, № 13 (2016) Methods for suppressing optical crosstalk between the cells of a silicon photomultiplier array
Zhukov A., Popova E., Gerasimenko N.
Том 50, № 13 (2016) Methods of accounting for inclusion-shape randomness in calculating the effective dielectric characteristics of heterogeneous textured materials
Zavgorodnyaya M., Lavrov I.
726 - 750 из 1443 результатов << < 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».