Список статей

Выпуск Название Файл
Том 53, № 6 (2019) Light-Emitting Diodes Based on an Asymmetrical InAs/InAsSb/InAsSbP Double Heterostructure for CO2 (λ = 4.3 μm) and CO (λ = 4.7 μm) Detection
Romanov V., Belykh I., Ivanov E., Alekseev P., Il’inskaya N., Yakovlev Y.
Том 50, № 2 (2016) Light-emitting nanocomposites on the basis of ZnS:Cu deposited into porous anodic Al2O3 matrices
Valeev R., Petukhov D., Chukavin A., Beltiukov A.
Том 53, № 14 (2019) Lithography and Plasma Treatment Effect on Conductivity of Carbon Nanotubes
Mitin D., Raudik S., Mozharov A., Bolshakov A., Fedorov V., Nepokh V., Rajanna P., Nasibulin A., Mukhin I.
Том 50, № 7 (2016) Local emission spectroscopy of surface micrograins in AIIIBV semiconductors
Zhukov N., Gluhovskoy E., Mosiyash D.
Том 51, № 7 (2017) Local thermoelectric effects in wide-gap semiconductors
Ordin S., Zhilyaev Y., Zelenin V., Panteleev V.
Том 50, № 5 (2016) Localization of the interband transitions in the bulk of the Brillouin zone of III–V compound crystals
Sobolev V., Perevoshchikov D.
Том 52, № 4 (2018) Localization-Delocalization Transition in Disordered One-Dimensional Exciton-Polariton System
Larionov A., Brichkin A., Höfling S., Kulakovskii V.
Том 53, № 10 (2019) Locally Strained Ge/SOI Structures with an Improved Heat Sink as an Active Medium for Silicon Optoelectronics
Yurasov D., Baidakova N., Verbus V., Gusev N., Mashin A., Morozova E., Nezhdanov A., Novikov A., Skorohodov E., Shengurov D., Yablonskiy A.
Том 52, № 5 (2018) Long-Lived Magnetoexcitons and Two-Dimensional Magnetofermionic Condensate in GaAs/AlGaAs Heterostructure
Kulik L., Gorbunov A., Zhuravlev A., Timofeev V., Kukushkin I.
Том 51, № 11 (2017) Long-wavelength sensitivity limit in MBE-grown PbSnTe:In films: Correlation with the film structure and composition
Akimov A., Klimov A., Paschin N., Yaroshevich A., Savchenko M., Epov V., Fedosenko E.
Том 50, № 12 (2016) Long-wavelength stimulated emission and carrier lifetimes in HgCdTe-based waveguide structures with quantum wells
Rumyantsev V., Fadeev M., Morozov S., Dubinov A., Kudryavtsev K., Kadykov A., Tuzov I., Dvoretskii S., Mikhailov N., Gavrilenko V., Teppe F.
Том 52, № 14 (2018) Low Threshold Lasing in InP/GaInP Quantum Dot Microdisks
Lebedev D., Bykov V., Shelaev A., Smirnov V., Buriak P., Romanova A., Juska G., Gocalinska A., Pelucchi E., Guseva Y., Troshkov S., Kulagina M., Vlasov A., Mintairov A.
Том 52, № 9 (2018) Lowering the Lasing Threshold by Doping in Mid-Infrared Lasers Based on HgCdTe with HgTe Quantum Wells
Dubinov A., Aleshkin V., Morozov S.
Том 52, № 9 (2018) Low-Frequency Dielectric Relaxation in Iron-Doped Ge28.5Pb15S56.5 Glassy System
Castro R., Grabko G., Kononov A.
Том 53, № 7 (2019) Low-Temperature Annealing of Lightly Doped n-4H-SiC Layers after Irradiation with Fast Electrons
Korolkov O., Kozlovski V., Lebedev A., Sleptsuk N., Toompuu J., Rang T.
Том 50, № 9 (2016) Low-temperature conductivity of gadolinium sulfides
Mustafaeva S., Asadov S.
Том 51, № 11 (2017) Low-temperature deposition of SiNx Films in SiH4/Ar + N2 inductively coupled plasma under high silane dilution with argon
Okhapkin A., Korolyov S., Yunin P., Drozdov M., Kraev S., Khrykin O., Shashkin V.
Том 53, № 2 (2019) Low-Temperature Ta/Al-Based Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heteroepitaxial Structures on Silicon Wafers
Erofeev E., Fedin I., Fedina V., Fazleev A.
Том 52, № 10 (2018) Luminescence and Stimulated Emission of Polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 Films Deposited by Magnetron-Assisted Sputtering
Svitsiankou I., Pavlovskii V., Lutsenko E., Yablonskii G., Shiripov V., Khokhlov E., Mudryi A., Zhivulko V., Borodavchenko O., Yakushev M.
Том 52, № 5 (2018) Luminescence Decay of Colloidal Quantum Dots and Stretched Exponential (Kohlrausch) Relaxation Function
Bodunov E., Simões Gamboa A.
Том 53, № 14 (2019) Luminescence Line Broadening Caused by Alloy Disorder in InGaN Quantum Wells
Arteev D., Sakharov A., Lundin W., Zavarin E., Zakheim D., Tsatsulnikov A.
Том 51, № 11 (2017) Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures
Nikiforov V., Abramkin D., Shamirzaev T.
Том 52, № 4 (2018) Luminescence of ZnMnTe/ZnMgTe Heterostructures with Monolayer Manganese Inclusions in ZnTe Quantum Wells and Its Behavior in a Magnetic Field
Shtrom I., Agekyan V., Serov A., Filosofov N., Akhmadullin R., Krizhkov D., Karczewski G.
Том 53, № 3 (2019) Luminescence of (ZnSe:Al):Yb Сrystals at 4.2 K
Makhniy V., Vakhnyak N., Kinzerska O., Pyryatynsky Y.
Том 52, № 2 (2018) Luminescence Properties of CdxZn1 – xO Thin Films
Lotin A., Novodvorsky O., Parshina L., Khramova O., Cherebylo E., Mikhalevsky V.
676 - 700 из 1443 результатов << < 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».