Список статей

Выпуск Название Файл
Том 50, № 3 (2016) Formation of Cadmium-Sulfide Nanowhiskers via Vacuum Evaporation and Condensation in a Quasi-Closed Volume
Belyaev A., Antipov V., Rubets V.
Том 50, № 13 (2016) Formation of carbon nanotubes on an amorphous Ni25Ta58N17 alloy film by chemical vapor deposition
Gromov D., Dubkov S., Pavlov A., Skorik S., Trifonov A., Kirilenko E., Shulyat’ev A., Shaman Y., Rygalin B.
Том 52, № 3 (2018) Formation of Cu2O and ZnO Crystal Layers by Magnetron Assisted Sputtering and Their Optical Characterization
Agekyan V., Borisov E., Gudovskikh A., Kudryashov D., Monastyrenko A., Serov A., Filosofov N.
Том 50, № 8 (2016) Formation of donors in germanium–silicon alloys implanted with hydrogen ions with different energies
Pokotilo Y., Petukh A., Litvinov V., Markevich V., Abrosimov N., Kamyshan A., Giro A., Solyanikova K.
Том 50, № 13 (2016) Formation of field-emission emitters by microwave plasma-chemical synthesis of nanocarbon structures
Yafarov R., Gornev E., Orlov S., Timoshenkov S., Timoshenkov V., Timoshenkov A.
Том 50, № 1 (2016) Formation of graphite/sic structures by the thermal decomposition of silicon carbide
Mynbaeva M., Lavrent’ev A., Mynbaev K.
Том 51, № 9 (2017) Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem
Abramkin D., Bakarov A., Putyato M., Emelyanov E., Kolotovkina D., Gutakovskii A., Shamirzaev T.
Том 52, № 10 (2018) Formation of Luminescence Spectra and Emission Intensity in the UV and Visible Spectral Regions for n-ZnO/p-GaN and n-ZnO/p-ZnO Structures when Depositing ZnO Films by High-Frequency Magnetron Sputtering
Mezdrogina M., Vinogradov A., Kozhanova Y.
Том 52, № 3 (2018) Formation of Macropores in n-Si upon Anodization in an Organic Electrolyte
Li G., Pavlov S., Astrova E., Preobrazhenskiy N.
Том 53, № 3 (2019) Formation of Nanoporous Copper-Silicide Films
Buchin E., Naumov V., Vasilyev S.
Том 53, № 4 (2019) Formation of Porous Silicon by Nanopowder Sintering
Astrova E., Voronkov V., Nashchekin A., Parfeneva A., Lozhkina D., Tomkovich M., Kukushkina Y.
Том 52, № 8 (2018) Formation of Precipitates in Si Implanted with 64Zn+ and 16O+ Ions
Privezentsev V., Kirilenko E., Goryachev A., Lutzau A.
Том 52, № 3 (2018) Formation of Radiation Defects by Proton Braking in Lightly Doped n- and p-SiC Layers
Kozlovski V., Vasil’ev A., Karaseov P., Lebedev A.
Том 51, № 3 (2017) Formation of silicon nanocrystals in multilayer nanoperiodic a-SiOx/insulator structures from the results of synchrotron investigations
Turishchev S., Terekhov V., Koyuda D., Ershov A., Mashin A., Parinova E., Nesterov D., Grachev D., Karabanova I., Domashevskaya E.
Том 50, № 12 (2016) Formation of singular (001) terraces on the surface of single-crystal HPHT diamond substrates
Yunin P., Drozdov Y., Chernov V., Isaev V., Bogdanov S., Muchnikov A.
Том 50, № 9 (2016) Formation of the low-resistivity compound Cu3Ge by low-temperature treatment in an atomic hydrogen flux
Erofeev E., Kazimirov A., Fedin I., Kagadei V.
Том 51, № 13 (2017) Formation of Zinc-Oxide Nanorods by the Precipitation Method
Avdeeva A., Zang X., Muradova A., Yurtov E.
Том 52, № 2 (2018) Frequency Dependence of the Conductivity of Disordered Semiconductors in the Region of the Transition to the Fixed-Range Hopping Regime
Ormont M., Zvyagin I.
Том 53, № 14 (2019) Fullerene for the Improvement of PbS QDs-Based Hybrid Solar Cells
Korzhenevskii I., Onishchuk D., Babaev A., Dubavik A., Parfenov P., Litvin A.
Том 50, № 2 (2016) GaAs structures with a gate dielectric based on aluminum-oxide layers
Kalentyeva I., Vikhrova O., Zdoroveyshchev A., Danilov Y., Kudrin A.
Том 52, № 5 (2018) GaAs Wurtzite Nanowires for Hybrid Piezoelectric Solar Cells
Alekseev P., Sharov V., Geydt P., Dunaevskiy M., Soshnikov I., Reznik R., Lysak V., Lähderanta E., Cirlin G.
Том 53, № 9 (2019) GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates
Abramkin D., Petrushkov M., Putyato M., Semyagin B., Emelyanov E., Preobrazhenskii V., Gutakovskii A., Shamirzaev T.
Том 50, № 5 (2016) GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells
Nikitina E., Gudovskikh A., Lazarenko A., Pirogov E., Sobolev M., Zelentsov K., Morozov I., Egorov A.
Том 53, № 12 (2019) GaAs-Based Laser Diode with InGaAs Waveguide Quantum Wells
Dikareva N., Zvonkov B., Samartsev I., Nekorkin S., Baidus N., Dubinov A.
Том 53, № 12 (2019) Ga(In)AsP Lateral Nanostructures as the Optical Component of GaAs-Based Photovoltaic Converters
Karlina L., Vlasov A., Shvarts M., Soshnikov I., Smirnova I., Komissarenko F., Ankudinov A.
476 - 500 из 1443 результатов << < 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».