Список статей

Выпуск Название Файл
Том 50, № 10 (2016) Fabrication of a terahertz quantum-cascade laser with a double metal waveguide based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures
Khabibullin R., Shchavruk N., Pavlov A., Ponomarev D., Tomosh K., Galiev R., Maltsev P., Zhukov A., Cirlin G., Zubov F., Alferov Z.
Том 50, № 11 (2016) Fabrication of MnGa/GaAs contacts for optoelectronics and spintronics applications
Dorokhin M., Pavlov D., Bobrov A., Danilov Y., Lesnikov V., Zvonkov B., Zdoroveyshchev A., Kudrin A., Demina P., Usov Y., Nikolichev D., Kryukov R., Zubkov S.
Том 51, № 1 (2017) Fabrication of oxide heterostructures for promising solar cells of a new generation
Bobkov A., Lashkova N., Maximov A., Moshnikov V., Nalimova S.
Том 52, № 5 (2018) Fabrication of Silicon Nanostructures for Application in Photonics
Kamalieva A., Toropov N., Vartanyan T., Baranov M., Parfenov P., Bogdanov K., Zharova Y., Tolmachev V.
Том 52, № 8 (2018) Features of 63,65Cu NMR Spectra in the Local Field of Samples of CuFeS2 Semiconductor Mineral from Oceanic Sulfide Deposits
Matukhin V., Pogoreltsev A., Gavrilenko A., Garkavyi S., Shmidt E., Babaeva S., Sukhanova A., Terukov E.
Том 50, № 5 (2016) Features of carrier tunneling between the silicon valence band and metal in devices based on the Al/high-K oxide/SiO2/Si structure
Vexler M., Grekhov I.
Том 50, № 7 (2016) Features of conductivity mechanisms in heavily doped compensated V1–xTixFeSb Semiconductor
Romaka V., Rogl P., Romaka V., Kaczorowski D., Stadnyk Y., Krayovskyy V., Horyn A.
Том 53, № 6 (2019) Features of Defect Formation in Nanostructured Silicon under Ion Irradiation
Kozhemiako A., Evseev A., Balakshin Y., Shemukhin A.
Том 50, № 6 (2016) Features of high-temperature electroluminescence in an LED n-GaSb/n-InGaAsSb/p-AlGaAsSb heterostructure with high potential barriers
Danilov L., Petukhov A., Mikhailova M., Zegrya G., Ivanov E., Yakovlev Y.
Том 50, № 2 (2016) Features of InN growth by nitrogen-plasma-assisted MBE at different ratios of fluxes of group-III and -V elements
Lobanov D., Novikov A., Andreev B., Bushuykin P., Yunin P., Skorohodov E., Krasilnikova L.
Том 53, № 2 (2019) Features of MIS Structures with Samarium Fluoride on Silicon and Germanium Substrates
Shalimova M., Sachuk N.
Том 50, № 4 (2016) Features of photoinduced magnetism in some yttrium–iron-garnet single crystals
Vorob’eva N., Mityukhlyaev V.
Том 51, № 2 (2017) Features of the band structure and conduction mechanisms of n-HfNiSn heavily doped with Y
Romaka V., Rogl P., Romaka V., Kaczorowski D., Krayovskyy V., Stadnyk Y., Horyn A.
Том 53, № 4 (2019) Features of the Characteristics of Field-Resistant Silicon–Ultrathin Oxide–Polysilicon Structures
Goldman E., Levashov S., Chucheva G.
Том 50, № 4 (2016) Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the ω-scanning mode
Vasil’evskii I., Pushkarev S., Grekhov M., Vinichenko A., Lavrukhin D., Kolentsova O.
Том 52, № 13 (2018) Features of the Electron Mobility in the n-InSe Layered Semiconductor
Abdinov A., Babayeva R.
Том 53, № 9 (2019) Features of the Impurity-Photoconductivity Spectra of PbSnTe(In) Epitaxial Films with Temperature Changes
Ikonnikov A., Chernichkin V., Dudin V., Akopian D., Akimov A., Klimov A., Tereshchenko O., Ryabova L., Khokhlov D.
Том 52, № 12 (2018) Features of the Initial Stage of GaN Growth on Si(111) Substrates by Nitrogen-Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy
Mizerov A., Timoshnev S., Sobolev M., Nikitina E., Shubina K., Berezovskaia T., Shtrom I., Bouravleuv A.
Том 53, № 7 (2019) Features of the Initial Stage of the Heteroepitaxy of Silicon Layers on Germanium When Grown from Silicon Hydrides
Orlov L., Ivina N., Bozhenkin V.
Том 53, № 2 (2019) Features of the Properties of Rare-Earth Semiconductors
Kaminski V., Sharenkova N.
Том 52, № 13 (2018) Features of the Selective Growth of GaN Nanorods on Patterned c-Sapphire Substrates of Various Configurations
Semenov A., Nechaev D., Troshkov S., Nashchekin A., Brunkov P., Jmerik V., Ivanov S.
Том 51, № 11 (2017) Features of the selective manganese doping of GaAs structures
Kalentyeva I., Vikhrova O., Danilov Y., Zvonkov B., Kudrin A., Dorokhin M., Pavlov D., Antonov I., Drozdov M., Usov Y.
Том 53, № 10 (2019) Features of the Simultaneous Generation of Low-Q and High-Q Modes in Heterolasers Based on Quantum Dots with a Long Incoherent Relaxation Time of Optical Dipole Oscillations
Kocharovskaya E., Mishin A., Ryabinin I., Kocharovsky V.
Том 53, № 4 (2019) Features of the Temperature Dependence of the Specific Contact Resistance of Au–Ti–Pd–n+–n-Si Diffusion Silicon Structures
Belyaev A., Boltovets N., Klad’ko V., Safryuk-Romanenko N., Lubchenko A., Sheremet V., Shynkarenko V., Slepova A., Pilipenko V., Petlitskaya T., Pilipchuk A., Konakova R., Sachenko A.
Том 53, № 12 (2019) Features of the Temperature Dependences of the Photoconductivity of Organometallic CH3NH3PbI3 Perovskite Films
Amasev D., Tameev A., Kazanskii A.
426 - 450 из 1443 результатов << < 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».