Список статей

Выпуск Название Файл
Том 51, № 6 (2017) Fe-based semiconducting Heusler alloys
Khovaylo V., Voronin A., Zueva V., Seredina M., Chatterdjee R.
Том 51, № 10 (2017) (FeIn2S4)x · (AgIn5S8)1–x alloys: Crystal structure, nuclear γ-Resonance spectra, and band gap
Bodnar I., Barugu T., Kasyuk Y., Fedotova Y.
Том 53, № 16 (2019) Femtosecond Laser-Induced Periodical Nanomodification of Surface Composition
Ionin A., Kudryashov S., Makarov S.
Том 52, № 16 (2018) FIB Lithography Challenges of Si3N4/GaN Mask Preparation for Selective Epitaxy
Mitrofanov M., Levitskii I., Voznyuk G., Tatarinov E., Rodin S., Lundin W., Evtikhiev V., Mizerov M.
Том 52, № 15 (2018) Field Characteristics of Spin-Torque Diode Sensitivity in the Presence of a Bias Current
Popkov A., Kulagin N., Demin G., Zvezdin K.
Том 50, № 7 (2016) Field dependence of the electron drift velocity along the hexagonal axis of 4H-SiC
Ivanov P., Potapov A., Samsonova T., Grekhov I.
Том 51, № 2 (2017) Field diffusion in disordered organic materials under conditions of occupied deep states
Nikitenko V., Kudrov A.
Том 52, № 12 (2018) Field Effect in PbSnTe:In Films with Low Conductivity in the Mode of Injection from Contacts and Space-Charge Limitation of the Current
Akimov A., Klimov A., Epov V.
Том 52, № 3 (2018) Field-Effect Transistor Based on the Proton Conductivity of Graphene Oxide and Nafion Films
Smirnov V., Mokrushin A., Denisov N., Dobrovolskii Y.
Том 50, № 2 (2016) Field-effect transistor with 2D carrier systems in the gate and channel
Popov V.
Том 53, № 15 (2019) Field-Emission Cathodes Based on Microchannel Plates
Khamdokhov Z., Margushev Z., Khamdokhov E., Teshev R., Bavizhev M.
Том 50, № 10 (2016) First-principles calculations of the electronic and structural properties of GaSb
Castaño-González E., Seña N., Mendoza-Estrada V., González-Hernández R., Dussan A., Mesa F.
Том 53, № 12 (2019) First-Principles Investigation of Electronic Properties of GaAsxSb1 –x Ternary Alloys
Singh A., Chandra D., Kattayat S., Kumar S., Alvi P., Rathi A.
Том 53, № 13 (2019) First-Principles Investigation of Electronic Properties of GaAsxSb1 –x Ternary Alloys
Singh A., Chandra D., Kattayat S., Kumar S., Alvi P., Rathi A.
Том 52, № 4 (2018) Floquet Engineering of Gapped 2D Materials
Kibis O., Dini K., Iorsh I., Shelykh I.
Том 52, № 6 (2018) Forbidden Resonant Raman Scattering in GaAs/AlAs Superlattices: Experiment and Calculations
Volodin V., Sachkov V., Sinyukov M.
Том 52, № 11 (2018) Formation and Properties of Locally Tensile Strained Ge Microstructures for Silicon Photonics
Novikov A., Yurasov D., Morozova E., Skorohodov E., Verbus V., Yablonskiy A., Baidakova N., Gusev N., Kudryavtsev K., Nezhdanov A., Mashin A.
Том 52, № 16 (2018) Formation and Properties of New Types of Metal–Dielectric Nanostructures for Creating Optical Metamaterials
Kazak N., Agabekov V., Kurilkina S., Belyi V.
Том 51, № 1 (2017) Formation and properties of the buried isolating silicon-dioxide layer in double-layer “porous silicon-on-insulator” structures
Ivlev K., Roslikov V., Bolotov V., Knyazev E., Ponomareva I., Kan V., Davletkildeev N.
Том 50, № 5 (2016) Formation and reconstruction of Se nanoislands at the surface of thin epitaxial ZnSe layers grown on GaAs substrates
Kozlovskiy V., Krivobok V., Kuznetsov P., Nikolaev S., Onistchenko E., Pruchkina A., Temiryazev A.
Том 51, № 10 (2017) Formation and study of p–i–n structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the i-type region
Krivyakin G., Volodin V., Shklyaev A., Mortet V., More-Chevalier J., Ashcheulov P., Remes Z., Stuchliková T., Stuchlik J.
Том 53, № 11 (2019) Formation of ncl-Si in the Amorphous Matrix a-SiOx:H Located near the Anode and on the Cathode, Using a Time-Modulated DC Plasma with the (SiH4–Ar–O2) Gas Phase (\({{{\text{C}}}_{{{{{\text{O}}}_{2}}}}}\) = 21.5 mol %)
Undalov Y., Terukov E., Trapeznikova I.
Том 51, № 5 (2017) Formation of a p-type emitter with the involvement of surfactants in GaAs photoelectric converters
Karlina L., Vlasov A., Ber B., Kazantsev D., Timoshina N., Kulagina M., Smirnov A.
Том 52, № 12 (2018) Formation of a Graphene-Like SiN Layer on the Surface Si(111)
Mansurov V., Galitsyn Y., Malin T., Teys S., Fedosenko E., Kozhukhov A., Zhuravlev K., Cora I., Pécz B.
Том 52, № 3 (2018) Formation of a Stepped Si(100) Surface and Its Effect on the Growth of Ge Islands
Esin M., Nikiforov A., Timofeev V., Tuktamyshev A., Mashanov V., Loshkarev I., Deryabin A., Pchelyakov O.
451 - 475 из 1443 результатов << < 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».