Список статей

Выпуск Название Файл
Том 52, № 13 (2018) GaInAsP/InP-Based Laser Power Converters (λ = 1064 nm)
Khvostikov V., Sorokina S., Potapovich N., Levin R., Marichev A., Timoshina N., Pushnyi B.
Том 52, № 12 (2018) Galvanic and Capacitive Effects in n-SiC Conductivity Compensation by Radiation-Induced Defects
Kozlovski V., Lebedev A., Davydovskaya K., Lyubimova Y.
Том 51, № 6 (2017) Galvanomagnetic properties of Bi85Sb15 thin films on different substrates
Komarov V., Suslov A., Suslov M.
Том 51, № 7 (2017) Galvanomagnetic properties of bismuth films with a thin antimony coating or sublayer
Kablukova N., Komarov V., Skanchenko D., Makarova E., Demidov E.
Том 53, № 6 (2019) Galvanomagnetic Properties of Cobalt Monosilicide and Alloys Based on It
Ovchinnikov A., Konstantinov P., Pshenay-Severin D., Burkov A.
Том 52, № 1 (2018) GaP/Si(111) Nanowire Crystals Synthesized by Molecular-Beam Epitaxy with Switching between the Hexagonal and Cubic Phases
Shtrom I., Sibirev N., Ubiivovk E., Samsonenko Y., Khrebtov A., Reznik R., Bouravleuv A., Cirlin G.
Том 52, № 11 (2018) Gapless Dirac Electron Mobility and Quantum Time in HgTe Quantum Wells
Dobretsova A., Kvon Z., Braginskii L., Entin M., Mikhailov N.
Том 50, № 10 (2016) GaSb laser-power (λ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics
Khvostikov V., Sorokina S., Khvostikova O., Levin R., Pushnyi B., Timoshina N., Andreev V.
Том 52, № 9 (2018) GaSb/GaAlAsSb Heterostructure Photodiodes for the Near-IR Spectral Range
Kunitsyna E., Andreev I., Konovalov G., Ivanov E., Pivovarova A., Il’inskaya N., Yakovlev Y.
Том 50, № 4 (2016) Gaussian approximation of the spectral dependence of the absorption spectrum in polymer semiconductors
Malov V., Tameev A., Novikov S., Khenkin M., Kazanskii A., Vannikov A.
Том 51, № 9 (2017) Generation of surface electron states with a silicon–ultrathin-oxide interface under the field-induced damage of metal–oxide–semiconductor structures
Goldman E., Levashov S., Naryshkina V., Chucheva G.
Том 50, № 6 (2016) Generation of transverse direct current in a superlattice under a bichromatic high-frequency electric and constant magnetic fields
Zav’yalov D., Konchenkov V., Kryuchkov S.
Том 52, № 5 (2018) Geometry Optimization and Charge Density Distribution of Single Layer of ZN-Based Metal-Organic Framework
Senkevich N., Vrubel I., Polozkov R., Shelykh I.
Том 50, № 11 (2016) Germanium laser with a hybrid surface plasmon mode
Dubinov A.
Том 51, № 11 (2017) Giant effect of terahertz-radiation rectification in periodic graphene plasmonic structures
Fateev D., Mashinsky K., Qin H., Sun J., Popov V.
Том 50, № 12 (2016) Giant negative photoconductivity of PbSnTe:In films with wavelength cutoff near 30 μm
Akimov A., Klimov A., Morozov S., Suprun S., Epov V., Ikonnikov A., Fadeev M., Rumyantsev V.
Том 52, № 14 (2018) Gold Nanoclusters at the Interface Au/GaAs(001): Preparation, Characterization, and Plasmonic Spectroscopy
Berkovits V., Kosobukin V., Ulin V., Soldatenkov F., Makarenko I., Levitskii V.
Том 50, № 8 (2016) Graphene-oxide films printed on rigid and flexible substrates for a wide spectrum of applications
Antonova I., Kotin I., Popov V., Vasileva F., Kapitonov A., Smagulova S.
Том 52, № 2 (2018) Graphite/p-SiC Schottky Diodes Prepared by Transferring Drawn Graphite Films onto SiC
Solovan M., Andrushchak G., Mostovyi A., Kovaliuk T., Brus V., Maryanchuk P.
Том 51, № 10 (2017) Growth and properties of isoparametric InAlGaPAs/GaAs heterostructures
Alfimova D., Lunin L., Lunina M., Arustamyan D., Kazakova A., Chebotarev S.
Том 50, № 9 (2016) Growth features and spectroscopic structure investigations of nanoprofiled AlN films formed on misoriented GaAs substrates
Seredin P., Goloshchapov D., Lenshin A., Lukin A., Fedyukin A., Arsentyev I., Bondarev A., Lubyanskiy Y., Tarasov I.
Том 52, № 16 (2018) Growth Modes of GaN Plasma-Assisted MBE Nanowires
Berdnikov Y., Sibirev N.
Том 52, № 5 (2018) Growth of GaN Layers on Si(111) Substrates by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Timoshnev S., Mizerov A., Sobolev M., Nikitina E.
Том 50, № 6 (2016) Growth of silicon nanoclusters in thermal silicon dioxide under annealing in an atmosphere of nitrogen
Ivanova E., Sitnikova A., Aleksandrov O., Zamoryanskaya M.
Том 52, № 16 (2018) Growth of Textured Au–Fe/Fe Hybrid Nanocrystals on Oxidized Silicon Surface
Tarasov I., Smolyarova T., Yakovlev I., Kosyrev N., Komarov V., Nemtsev I., Varnakov S., Patrin S., Ovchinnikov S.
501 - 525 из 1443 результатов << < 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».