Список статей

Выпуск Название Файл
Том 51, № 9 (2017) High-voltage MIS-gated GaN transistors
Erofeev E., Fedin I., Fedina V., Stepanenko M., Yuryeva A.
Том 50, № 3 (2016) High-Voltage Silicon-Carbide Thyristor with an n-type Blocking Base
Levinshtein M., Mnatsakanov T., Yurkov S., Tandoev A., Ryu S., Palmour J.
Том 51, № 9 (2017) Hopping conductivity and dielectric relaxation in Schottky barriers on GaN
Bochkareva N., Voronenkov V., Gorbunov R., Virko M., Kogotkov V., Leonidov A., Vorontsov-Velyaminov P., Sheremet I., Shreter Y.
Том 52, № 14 (2018) Hot Excitons Contribution into the Photoluminescence of Self-Assembled Quantum Dots in CdSe/ZnSe Heterostructures under Different Excitation Conditions
Budkin G., Reznitsky A.
Том 50, № 11 (2016) Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon
Cirlin G., Shtrom I., Reznik R., Samsonenko Y., Khrebtov A., Bouravleuv A., Soshnikov I.
Том 52, № 4 (2018) Hybrid GaAs/AlGaAs Nanowire—Quantum dot System for Single Photon Sources
Cirlin G., Reznik R., Shtrom I., Khrebtov A., Samsonenko Y., Kukushkin S., Kasama T., Akopian N., Leonardo L.
Том 53, № 5 (2019) Hydrogen Desorption from Pentagraphane
Openov L., Podlivaev A.
Том 53, № 9 (2019) Hyperfine Interaction and Shockley–Read–Hall Recombination in Semiconductors
Ivchenko E., Kalevich V., Kunold A., Balocchi A., Marie X., Amand T.
Том 50, № 4 (2016) Impact ionization in nonuniformly heated silicon p+–n–n+ and n+–p–p+ structures
Musaev A.
Том 53, № 10 (2019) Impact of High-Energy Electron Irradiation on Surge Currents in 4H-SiC JBS Schottky Diodes
Lebedev A., Kozlovski V., Ivanov P., Levinshtein M., Zubov A.
Том 52, № 13 (2018) Impact of the Device Geometric Parameters on Hot-Carrier Degradation in FinFETs
Tyaginov S., Linten D., Vexler M., Hellings G., Grill A., Chasin A., Jech M., Kaczer B., Makarov A., Grasser T.
Том 53, № 10 (2019) Impact of the Percolation Effect on the Temperature Dependences of the Capacitance–Voltage Characteristics of Heterostructures Based on Composite Layers of Silicon and Gold Nanoparticles
Sobolev M., Yavsin D., Gurevich S.
Том 52, № 10 (2018) Impact of the Periphery Electrostatic Field on the Photovoltaic Effect in Metal–Semiconductor Contacts with a Schottky Barrier
Torkhov N.
Том 52, № 4 (2018) Impact of UV Pulsed Laser Radiation and of the Electron Flow on Dielectric States of Polymer Composite Nanomaterial Based on LDPE Matrix
Ushakov N., Kosobudskii I.
Том 51, № 3 (2017) Improvement in the accuracy of determining impurity compensation in pure weakly compensated germanium from breakdown-field strength
Bannaya V.
Том 50, № 13 (2016) Improving the functional characteristics of gallium nitride during vapor phase epitaxy
Vigdorovich E.
Том 51, № 8 (2017) Impurity levels in Hg3In2Te6 crystals
Chupyra S., Grushka O., Bilichuk S.
Том 51, № 4 (2017) In As1–xSbx heteroepitaxial structures on compositionally graded GaInSb and AlGaInSb buffer layers
Guseynov R., Tanriverdiyev V., Kipshidze G., Aliyeva Y., Aliguliyeva K., Abdullayev N., Mamedov N.
Том 53, № 12 (2019) InxAl1 –xN Solid Solutions: Composition Stability Issues
Brudnyi V., Vilisova M., Velikovskiy L.
Том 52, № 7 (2018) In0.8Ga0.2As Quantum Dots for GaAs Solar Cells: Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy Growth Peculiarities and Properties
Salii R., Kosarev I., Mintairov S., Nadtochiy A., Shvarts M., Kalyuzhnyy N.
Том 51, № 5 (2017) InAs QDs in a metamorphic In0.25Ga0.75As matrix, grown by MOCVD
Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Maximov M., Nadtochiy A., Nevedomskiy V., Zhukov A.
Том 51, № 7 (2017) Increase in the internal optical loss with increasing pump current and the output power of quantum well lasers
Sokolova Z., Veselov D., Pikhtin N., Tarasov I., Asryan L.
Том 53, № 14 (2019) Increase of the Zero-Phonon-Line Emission from Color Centers in Nanodiamonds by Coupling with Dielectric Nanocavity
Sergaeva O., Yaroshenko V., Volkov I., Zuev D., Savelev R.
Том 51, № 2 (2017) Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment
Erofeev E., Fedin I., Kutkov I., Yuryev Y.
Том 52, № 14 (2018) Increasing Spin-Orbital Coupling at Relativistic Exchange Interaction of Electron-Hole Pairs in Graphene
Grushevskaya H., Krylov G.
551 - 575 из 1443 результатов << < 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 > >> 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».