浏览标题索引

期 标题 文件
卷 54, 编号 2 (2025) PRECISION ETCHING OF ALUMINUM CONDUCTORS IN THE TECHNOLOGY OF SWITCHING DEVICES OF MICROSYSTEMS TECHNOLOGY
Didyk P., Zhukov A.
卷 53, 编号 2 (2024) Application of the finite element method for calculating the surface acoustic wave parameters and devices PDF
(Rus)
Koigerov A.
卷 53, 编号 1 (2024) Application of Spectral Ellipsometry for Dielectric, Metal and Semiconductor Films in Microelectronics Technology PDF
(Rus)
Gaidukasov R., Miakonkikh A.
卷 52, 编号 6 (2023) Design of integrated voltage multipliers using standard CMOS technologies PDF
(Rus)
Sinyukin A., Konoplev B., Kovalev A.
卷 52, 编号 6 (2023) Prototypes of devices for heterogeneous hybrid semiconductor electronics with an embedded biomolecular domain PDF
(Rus)
Baranov M., Karseeva E., Tsybin O.
卷 53, 编号 2 (2024) Ripple of a DC/DC converter based on SEPIC topology PDF
(Rus)
Bityukov V., Lavrenov A.
卷 53, 编号 5 (2024) Development of an imagery representation apparatus for information representation in neyromorphic devices
Simonov N.
卷 54, 编号 1 (2025) Development of atomic layer deposition technological platform for the synthesis of micro- and nanoelectronics materials
Amashaev R., Isubgadzhiev S., Rabadanov M., Abdulagatov I.
卷 54, 编号 4 (2025) Development of a correlator for measuring the second-order autocorrelation function of single-photon sources
Salkazanov A., Gusev A., Kargin N., Kaloshin M., Klokov V., Kosogorova T., Margushin R., Sauri A., Sychev A., Vergeles S.
卷 52, 编号 1 (2023) Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора PDF
(Rus)
., ., .
卷 52, 编号 3 (2023) Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor PDF
(Rus)
Tsunvaza D., Ryzhuk R., Vasil’evskii I., Kargin N., Klokov V.
卷 53, 编号 3 (2024) Development of the Ge-MDST instrument structure with an induced p-type channel PDF
(Rus)
Alyabina N., Arkhipova E., Buzynin Y., Denisov S., Zdoroveishchev A., Titova A., Chalkov V., Shengurov V.
卷 52, 编号 1 (2023) Calculation of the Electric Field Strength and Current Density Inside a Thin Metal Layer, Taking into Account the Skin Effect PDF
(Rus)
Zavitaev E., Rusakov O., Chukhleb E.
卷 52, 编号 6 (2023) Performance calculation for a MEMS switch with «floating» electrode PDF
(Rus)
Morozov M., Uvarov I.
卷 54, 编号 1 (2025) Calculation of distributions of electron beam energy absorbed in PMMA and Si using various scattering models
Rogozhin A., Sidorov F.
卷 54, 编号 3 (2025) Self-assembly of 3d mesostructures using local ion-plasma treatment
Babushkin A., Selyukov R., Amirov I., Naumov V., Izyumov M.
卷 54, 编号 2 (2025) Ferroelectric transistors: operating principles, materials, applications
Rezniukov A., Fetisenkova K., Rogozhin A.
卷 52, 编号 2 (2023) Cross Sections of Scattering Processes in Electron-Beam Lithography PDF
(Rus)
Rogozhin A., Sidorov F.
卷 53, 编号 5 (2024) Parameters matching of the thermoelectric system parameters for cooling heat-loaded electronics elements
Vasil’ev Е.
卷 53, 编号 6 (2024) Gas Phase Composition and Fluorine Atom Kinetics in SF6 Plasma
Myakonkikh A., Kuzmenko V., Efremov A., Rudenko K.
卷 54, 编号 3 (2025) STABILIZATION OF MEMRISTOR CELL STATES DURING INITIAL SWITCHING PROCESS AFTER FORMING
Fadeev A., Rudenko K.
卷 53, 编号 3 (2024) The structure and formation of non-volatile memory cells of Superflash PDF
(Rus)
Abdullaev D., Bobrova E., Milovanov R.
卷 54, 编号 3 (2025) Structure of thin titanium nitride films deposited by magnetron sputtering
Isaev A., Rogozhin A.
卷 53, 编号 1 (2024) Structuring of the Surface of Thin Carbon Films During Activation by Microsecond Current Pulses PDF
(Rus)
Nefedov D., Shabunin N., Bratashov D.
卷 53, 编号 2 (2024) Structural features and electrical properties of si(al) thermal migration channels for high-voltage photovoltaic converters PDF
(Rus)
Lomov A., Seredin B., Martyushov S., Tatarintsev A., Popov V., Malibashev A.
卷 53, 编号 5 (2024) Temperature dependences of the breakdown voltage of a high-voltage LDMOS transistor
Novoselov А., Gusev М., Masalsky N.
卷 54, 编号 3 (2025) Temperature characteristics of a simple current mirror on silicon high-voltage nLDMOS with a large drift area
Novoselov A., Gusev M., Masal’skii N.
卷 53, 编号 3 (2024) Thermal modelling and layout optimization of GaN half-bridge IC with integrated drivers and power HEMTs PDF
(Rus)
Kagadey V., Kodorova I., Polyntsev E.
卷 52, 编号 4 (2023) Tomography of Detectors Taking Dead Time into Account PDF
(Rus)
Bogdanov Y., Katamadze K., Borshchevskaya N., Avosopiants G., Bogdanova N., Kulik S., Lukichev V.
卷 54, 编号 1 (2025) Formation of nickel-based composite magnetic nanostructures for microelectronics and nanodiagnostics devices
Vorobyova A., Tishkevich D., Outkina E., Khodin A.
卷 53, 编号 4 (2024) Evolution of the Current-Voltage Characteristic of a Bipolar Memristor PDF
(Rus)
Fadeev A., Rudenko K.
卷 54, 编号 2 (2025) Electrical characteristics of ruthenium lines with a cross-sectional area less than 1000 nm²
Glaz O., Rogozhin A.
卷 54, 编号 4 (2025) Electrical conductivity of a thin polycrystalline film considering various specularity coefficients
Kuznetsova I., Romanov D.
卷 52, 编号 6 (2023) Electrophysical parameters of p-i-n photodiodes, irradiated with 60Co γ-quanta PDF
(Rus)
Kovalchuk N., Lastovsky S., Odzhaev V., Petlitsky A., Prosolovich V., Shestovsky D., Yavid V., Yankovsky Y.
卷 52, 编号 5 (2023) Electrophysical Parameters and Emission Spectra of the Glow Discharge of Difluorodichloromethane PDF
(Rus)
Murin D., Chesnokov I., Gogulev I., Grishkov A.
卷 52, 编号 1 (2023) Электрофизические характеристики и эмиссионные спектры плазмы тетрафторметана PDF
(Rus)
., ., ., .
101 - 136 的 136 信息 << < 1 2 

Согласие на обработку персональных данных с помощью сервиса «Яндекс.Метрика»

1. Я (далее – «Пользователь» или «Субъект персональных данных»), осуществляя использование сайта https://journals.rcsi.science/ (далее – «Сайт»), подтверждая свою полную дееспособность даю согласие на обработку персональных данных с использованием средств автоматизации Оператору - федеральному государственному бюджетному учреждению «Российский центр научной информации» (РЦНИ), далее – «Оператор», расположенному по адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А, со следующими условиями.

2. Категории обрабатываемых данных: файлы «cookies» (куки-файлы). Файлы «cookie» – это небольшой текстовый файл, который веб-сервер может хранить в браузере Пользователя. Данные файлы веб-сервер загружает на устройство Пользователя при посещении им Сайта. При каждом следующем посещении Пользователем Сайта «cookie» файлы отправляются на Сайт Оператора. Данные файлы позволяют Сайту распознавать устройство Пользователя. Содержимое такого файла может как относиться, так и не относиться к персональным данным, в зависимости от того, содержит ли такой файл персональные данные или содержит обезличенные технические данные.

3. Цель обработки персональных данных: анализ пользовательской активности с помощью сервиса «Яндекс.Метрика».

4. Категории субъектов персональных данных: все Пользователи Сайта, которые дали согласие на обработку файлов «cookie».

5. Способы обработки: сбор, запись, систематизация, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передача (доступ, предоставление), блокирование, удаление, уничтожение персональных данных.

6. Срок обработки и хранения: до получения от Субъекта персональных данных требования о прекращении обработки/отзыва согласия.

7. Способ отзыва: заявление об отзыве в письменном виде путём его направления на адрес электронной почты Оператора: info@rcsi.science или путем письменного обращения по юридическому адресу: 119991, г. Москва, Ленинский просп., д.32А

8. Субъект персональных данных вправе запретить своему оборудованию прием этих данных или ограничить прием этих данных. При отказе от получения таких данных или при ограничении приема данных некоторые функции Сайта могут работать некорректно. Субъект персональных данных обязуется сам настроить свое оборудование таким способом, чтобы оно обеспечивало адекватный его желаниям режим работы и уровень защиты данных файлов «cookie», Оператор не предоставляет технологических и правовых консультаций на темы подобного характера.

9. Порядок уничтожения персональных данных при достижении цели их обработки или при наступлении иных законных оснований определяется Оператором в соответствии с законодательством Российской Федерации.

10. Я согласен/согласна квалифицировать в качестве своей простой электронной подписи под настоящим Согласием и под Политикой обработки персональных данных выполнение мною следующего действия на сайте: https://journals.rcsi.science/ нажатие мною на интерфейсе с текстом: «Сайт использует сервис «Яндекс.Метрика» (который использует файлы «cookie») на элемент с текстом «Принять и продолжить».