| Выпуск |
Раздел |
Название |
Файл |
| Том 52, № 1 (2023) |
ДИАГНОСТИКА |
Контроль параметров травления кремния в вч плазме CHF3 методом оптической эмиссионной спектроскопии |
(Rus)
|
| Том 52, № 2 (2023) |
ДИАГНОСТИКА |
Измерения на РЭМ размеров рельефных структур в технологическом процессе производства микросхем |
(Rus)
|
| Том 52, № 1 (2023) |
ДИАГНОСТИКА |
Электрофизические характеристики и эмиссионные спектры плазмы тетрафторметана |
(Rus)
|
| Том 52, № 1 (2023) |
ИСКУССТВЕННЫЙ ИНТЕЛЛЕКТ |
Искусственный интеллект никогда не заменит полностью человека |
(Rus)
|
| Том 52, № 2 (2023) |
КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ |
Исследование возможности оптимизации взаимодействия NV-центров и фотонов путем изменения формы микрорезонаторов |
(Rus)
|
| Том 52, № 1 (2023) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРИБОРОВ |
Расчет напряженности электрического поля и плотности тока внутри тонкого металлического слоя с учетом скин-эффекта |
(Rus)
|
| Том 52, № 2 (2023) |
ЛИТОГРАФИЯ |
Сечения процессов рассеяния при электронно-лучевой литографии |
(Rus)
|
| Том 52, № 1 (2023) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ |
Моделирование дефектной структуры суперъячейки и явления переноса в TlInTe2 |
(Rus)
|
| Том 52, № 1 (2023) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ |
Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора |
(Rus)
|
| Том 52, № 2 (2023) |
ПРИБОРЫ |
Оксидные мемристоры для ReRAM: подходы, характеристики, структуры |
(Rus)
|
| Том 52, № 1 (2023) |
ПРИБОРЫ |
Исследование фотоприемников с барьерами Шоттки на основе контакта IRSI–SI |
(Rus)
|
| Том 52, № 1 (2023) |
ПРИБОРЫ |
Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур |
(Rus)
|
| Том 52, № 2 (2023) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Параметры плазмы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 и Si3N4 в смеси HBr/Cl2/Ar |
(Rus)
|
| Том 52, № 2 (2023) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Исследование оптических свойств сверхтонких пленок на основе силицида металлов |
(Rus)
|
| Том 52, № 1 (2023) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 в плазме CF4/C4F8/Ar/He |
(Rus)
|
| Том 52, № 3 (2023) |
ДИАГНОСТИКА |
Морфология поверхности и спектры фотолюминесценции псевдоморфных сверхрешеток {InGaAs/GaAs} на подложках GaAs (100), (110) и (111)A |
(Rus)
|
| Том 52, № 4 (2023) |
КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ |
Томографии детекторов с учетом мертвого времени |
(Rus)
|
| Том 52, № 5 (2023) |
ДИАГНОСТИКА |
Электрофизические параметры и эмиссионные спектры тлеющего разряда дифтордихлорметана |
(Rus)
|
| Том 52, № 3 (2023) |
КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ |
Прецизионная томография кудитов |
(Rus)
|
| Том 52, № 4 (2023) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Моделирование кремниевых полевых с полностью охватывающим затвором нанотранзисторов с высоким k подзатворного диэлектрика |
(Rus)
|
| Том 52, № 3 (2023) |
КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ |
Запись поляризационного состояния фотона в коррелированные электронные состояния массива квантовых точек |
(Rus)
|
| Том 52, № 5 (2023) |
ЛИТОГРАФИЯ |
Защитные свободновисящие пленки для установок проекционной литографии экстремального ультрафиолетового диапазона |
(Rus)
|
| Том 52, № 4 (2023) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Влияние граничных условий на квантовый магнетотранспорт в тонкой пленке |
(Rus)
|
| Том 52, № 5 (2023) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Моделирование влияния решеточных дефектов на работу разделения соединенных материалов |
(Rus)
|
| Том 52, № 5 (2023) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Компьютерное исследование влияния неоднородностей высокоомного слоя на резистивные переключения в структуре на основе микрокристалла селенида висмута |
(Rus)
|
| Том 52, № 3 (2023) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора |
(Rus)
|
| Том 52, № 4 (2023) |
НАДЕЖНОСТЬ |
Исследование чувствительной области МОП-транзистора к воздействию вторичных частиц, возникающих вследствие ионизирующего излучения |
(Rus)
|
| Том 52, № 3 (2023) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Моделирование адсорбции и диффузии атомов лития на дефектном графене для Li-ионной батареи |
(Rus)
|
| Том 52, № 5 (2023) |
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ |
О влиянии малых добавок F2, H2 и HF на концентрации активных частиц в плазме тетрафторметана |
(Rus)
|
| Том 52, № 5 (2023) |
ПАМЯТЬ |
Закономерности формирования подвижных локализованных магнитных конфигураций и технология изготовления структур для реализации элементов магнитной памяти |
(Rus)
|
| Том 52, № 4 (2023) |
НАДЕЖНОСТЬ |
Одиночные структурные повреждения в СБИС |
(Rus)
|
| Том 52, № 5 (2023) |
ПРИБОРЫ |
Нейроморфные системы: приборы, архитектура и алгоритмы |
(Rus)
|
| Том 52, № 3 (2023) |
МЭМС–УСТРОЙСТВА |
Быстрый электрохимический микронасос для портативного модуля доставки лекарств |
(Rus)
|
| Том 52, № 4 (2023) |
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ |
Концентрация атомов фтора и кинетика реактивно-ионного травления кремния в смесях CF4 + O2, CHF3 + O2 и C4F8 + O2 |
(Rus)
|
| Том 52, № 4 (2023) |
ПРИБОРЫ |
Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов |
(Rus)
|
| Том 52, № 3 (2023) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Плазма водорода в условиях электрон-циклотронного резонанса в технологии микроэлектроники |
(Rus)
|
| Том 52, № 4 (2023) |
ПРИБОРЫ |
Многоуровневые мемристивные структуры на основе эпитаксиальных пленок YBa2Cu3O7 – δ |
(Rus)
|
| Том 52, № 3 (2023) |
УСТРОЙСТВА |
Моделирование системы наноантенн, расположенных в канале TSV, в качестве системы приема-передачи данных |
(Rus)
|
| Том 52, № 5 (2023) |
ПРИБОРЫ |
Влияние деградации горячих носителей на характеристики высоковольтного КНИ транзистора с большой областью дрейфа |
(Rus)
|
| Том 52, № 4 (2023) |
СЕНСОРЫ |
Исследование сенсорных свойств упорядоченных массивов наностержней ZnO для детектирования УФ-излучения |
(Rus)
|
| Том 52, № 5 (2023) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Влияние материала электродов на электроформовку и свойства мемристоров на основе открытых “сэндвич”-структур металл–SiO2–металл |
(Rus)
|
| Том 52, № 4 (2023) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Влияние мощности магнетронного распыления на осаждение пленок ITO при комнатной температуре |
(Rus)
|
| Том 52, № 4 (2023) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Механизмы перераспределения углеродных загрязнений в пленках, сформированных методом атомно-слоевого осаждения |
(Rus)
|
| Том 52, № 6 (2023) |
ДИАГНОСТИКА |
Зондовая и спектральная диагностика плазмы газовой среды: BCl3–Cl2 |
(Rus)
|
| Том 52, № 6 (2023) |
МЭМС-УСТРОЙСТВА |
МЭМС-переключатель на основе кантилевера с увеличенным контактным усилием |
(Rus)
|
| Том 52, № 6 (2023) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Моделирование вертикального баллистического квантово-барьерного полевого транзистора на основе нелегированной AlxGa1 – xAs квантовой нанопроволоки |
(Rus)
|
| Том 52, № 6 (2023) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Расчет рабочих характеристик МЭМС‑переключателя c “плавающим” электродом |
(Rus)
|
| Том 52, № 6 (2023) |
ПРИБОРЫ |
Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60Со |
(Rus)
|
| Том 52, № 6 (2023) |
ПРИБОРЫ |
Биполярный транзистор с оптической накачкой |
(Rus)
|
| Том 52, № 6 (2023) |
ПРИБОРЫ |
Прототипы приборов гетерогенной гибридной полупроводниковой электроники с встроенным биомолекулярным доменом |
(Rus)
|
| Том 52, № 6 (2023) |
ПРИБОРЫ |
Проектирование интегральных умножителей напряжения по типовым КМОП-технологиям |
(Rus)
|
| Том 53, № 1 (2024) |
ДИАГНОСТИКА |
Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In0.53Ga0.47As после нейтронного воздействия |
(Rus)
|
| Том 53, № 1 (2024) |
ДИАГНОСТИКА |
Структурирование поверхности тонких углеродных пленок в ходе активации импульсами тока микросекундной длительности |
(Rus)
|
| Том 53, № 1 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Моделирование физико-химических и электронных свойств литийсодержащего 4Н-SiC и бинарных фаз системы Si–C–Li |
(Rus)
|
| Том 53, № 1 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Моделирование электронных свойств М-легированных суперъячеек Li4Ti5O12—М (М = Zr, Nb) с моноклинной структурой для литий-ионных аккумуляторов |
(Rus)
|
| Том 53, № 1 (2024) |
ПРИБОРЫ |
Перенос электронов в биполярном транзисторе со сверхрешеткой в области эмиттера |
(Rus)
|
| Том 53, № 1 (2024) |
ПРИБОРЫ |
Исследование мемристорного эффекта в кроссбар-архитектуре для нейроморфных систем искусственного интеллекта |
(Rus)
|
| Том 53, № 1 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Применение спектральной эллипсометрии для диэлектрических, металлических и полупроводниковых пленок в технологии микроэлектроники |
(Rus)
|
| Том 53, № 1 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Особенности электроформовки и функционирования мемристоров
на основе открытых “сэндвич”-структур TiN–SiO2–Mo |
(Rus)
|
| Том 53, № 1 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Молекулярное наслаивание аддитивного слоя диоксида кремния на анодированные оксиды тантала и ниобия |
(Rus)
|
| Том 53, № 1 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Параметры и состав плазмы в смеси CF4 + H2 + Ar: эффект соотношения CF4/H2 |
(Rus)
|
| Том 53, № 1 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Материалы для межсоединений интегральных схем с проектными нормами менее 5 нм |
(Rus)
|
| Том 53, № 2 (2024) |
ДИАГНОСТИКА |
Структурные особенности и электрические свойства термомиграционных каналов Si(Al) для высоковольтных фотоэлектрических преобразователей |
(Rus)
|
| Том 53, № 2 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Моделирование диффузии атомов в многокомпонентных полупроводниках в неупорядоченном состоянии |
(Rus)
|
| Том 53, № 2 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Применение метода конечных элементов для расчета параметров поверхностных акустических волн и устройств на их основе |
(Rus)
|
| Том 53, № 2 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Новый подход к моделированию радиационных эффектов низкой интенсивности в биполярных микросхемах |
(Rus)
|
| Том 53, № 2 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Пульсации DC/DC преобразователя, построенного по SEPIC топологии |
(Rus)
|
| Том 53, № 2 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Временные изменения механизмов токопрохождения в легированном эрбием пористом кремнии |
(Rus)
|
| Том 53, № 2 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Влияние примеси никеля на эксплуатационные параметры кремниевого солнечного элемента |
(Rus)
()
()
()
()
()
|
| Том 53, № 3 (2024) |
ДИАГНОСТИКА |
Комплексное исследование неравномерности свойств тонкопленочного катода LiCoO2, изготовленного методом ВЧ-магнетронного распыления |
(Rus)
|
| Том 53, № 3 (2024) |
ДИАГНОСТИКА |
Влияние добавки водорода на электрофизические параметры и спектры излучения плазмы тетрафторметана |
(Rus)
|
| Том 53, № 3 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Тепловое моделирование и оптимизация топологии GaN интегральной схемы полумоста с драйвером управления и силовыми транзисторами |
(Rus)
|
| Том 53, № 3 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Моделирование кремниевых полевых конических GAA-нанотранзисторов со стековым SiO2/HfO2 подзатворным диэлектриком |
(Rus)
|
| Том 53, № 3 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Кинетика электромиграционного массопереноса в интерфейсных элементах микро- и наноэлектроники в зависимости от прочности тонкопленочных соединений |
(Rus)
|
| Том 53, № 3 (2024) |
ПАМЯТЬ |
Структура и формирование энергонезависимых ячеек памяти Superflash |
(Rus)
|
| Том 53, № 3 (2024) |
ПРИБОРЫ |
Разработка приборной структуры Ge-МДПТ с индукцированным каналом p-типа |
(Rus)
|
| Том 53, № 3 (2024) |
ПРИБОРЫ |
Анализ механизмов рассеяния носителей в AlN/GaN HEMT-гетероструктурах с ультратонким AlN барьером |
(Rus)
|
| Том 53, № 3 (2024) |
ПРИБОРЫ |
Влияние лазерного излучения на функциональные свойства приборных МОП-структур |
(Rus)
|
| Том 53, № 4 (2024) |
ДИАГНОСТИКА |
Исследование фотоэлектрических параметров неорганических солнечных элементов на основе Cu2O и CuO |
(Rus)
|
| Том 53, № 4 (2024) |
КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ |
Квантовый вентиль CNOT на пространственных фотонных кубитах с резонансным электрооптическим контролем |
(Rus)
|
| Том 53, № 4 (2024) |
МЕМРИСТОРЫ |
Эволюция вольт-амперной характеристики биполярного мемристора |
(Rus)
|
| Том 53, № 4 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Аппроксимация спектра поглощения фосфида индия в контексте моделирования процесса очувствления |
(Rus)
|
| Том 53, № 4 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Методика изготовления фоточувствительных элементов на основе PtSi |
(Rus)
|
| Том 53, № 4 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Микроструктура островковых пленок Al на Si(111) при магнетронном напылении: влияние температуры подложки |
(Rus)
|
| Том 53, № 4 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Плазмохимическое и реактивно-ионное травление арсенида галлия в среде дифтордихлорметана с гелием |
(Rus)
|
| Том 54, № 1 (2025) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Пленки фоторезистов серии AZ nLOF на монокристаллическом кремнии |
|
| Том 53, № 5 (2024) |
ДИАГНОСТИКА |
Исследования в условиях плазмы электронного циклотронного резонанса с применением резонанса на второй гармонике циклотронной частоты |
(Rus)
|
| Том 53, № 5 (2024) |
КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ |
Нанофотонный светоделитель на квантовых точках с ферстеровской связью |
(Rus)
|
| Том 53, № 5 (2024) |
ЛИТОГРАФИЯ |
Новая концепция развития высокопроизводительной рентгеновской литографии |
(Rus)
|
| Том 53, № 5 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Механизмы транспорта и полевой эмиссии электронов в 2D некристаллических углеродных гетероструктурах с квантовым барьером |
(Rus)
|
| Том 53, № 5 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Математическое моделирование системы жидкостного охлаждения микропроцессора |
(Rus)
|
| Том 53, № 5 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Согласование параметров термоэлектрической системы охлаждения теплонагруженных элементов электроники |
(Rus)
|
| Том 53, № 5 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Исследование способов синтеза схем встроенного контроля на основе логической коррекции сигналов с применением равномерных разделимых кодов |
(Rus)
|
| Том 53, № 5 (2024) |
НЕЙРОМОРФНЫЕ СИСТЕМЫ |
Разработка аппарата образного представления информации для нейроморфных устройств |
(Rus)
|
| Том 53, № 5 (2024) |
ПРИБОРЫ |
Температурные зависимости напряжения пробоя высоковольтного КНИ LDMOS транзистора |
(Rus)
|
| Том 53, № 5 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Получение графена: осаждение и отжиг |
(Rus)
|
| Том 53, № 6 (2024) |
ДИАГНОСТИКА |
Состав газовой фазы и кинетика атомов фтора в плазме SF6 |
(Rus)
|
| Том 53, № 6 (2024) |
КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ |
Влияние дефектов изготовления и электрических шумов на эволюцию зарядового кубита с оптическим управлением |
(Rus)
|
| Том 53, № 6 (2024) |
МЕМРИСТОРЫ |
Моделирование особенностей работы мемристивного кроссбар-массива в нейроморфных электронных модулях |
(Rus)
|
| Том 53, № 6 (2024) |
МЕМРИСТОРЫ |
Краткий обзор типологии нейронов и анализ использования мемристорных кроссбаров |
(Rus)
|
| Том 53, № 6 (2024) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Моделирование структурых свойств и явления переноса в легированных многокомпонентных 2D полупроводниках |
(Rus)
|
| Том 53, № 6 (2024) |
ПРИБОРЫ |
III-нитридные hemt гетероструктуры с ультратонким барьером AlN: получение и экспериментальное применение |
(Rus)
|
| Том 53, № 6 (2024) |
ПРИБОРЫ |
Биполярный транзистор c туннельным пробоем |
(Rus)
|
| Том 53, № 6 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Параметры плазмы и кинетика травления Si/SiO2 в смесях фторуглеродных газов с аргоном и гелием |
(Rus)
|
| Том 53, № 6 (2024) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Исследование проводимости углеродных нанотрубок, осажденных на подложку на основе силицида иридия-кремний |
(Rus)
|
| Том 54, № 1 (2025) |
ЛИТОГРАФИЯ |
Исследование метода двойной литографии с использованием антиспейсера |
|
| Том 54, № 1 (2025) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Расчет распределений энергии электронного пучка, поглощенной в ПММА и Si, с использованием различных моделей рассеяния |
|
| Том 54, № 1 (2025) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Кинетика экспонирования слоя позитивного фоторезиста на оптически согласованной подложке |
|
| Том 54, № 1 (2025) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Квантовый транспорт носителей заряда в треугольной яме с учётом поверхностного рассеяния |
|
| Том 54, № 1 (2025) |
НАНОСТРУКТУРЫ |
Формирование композитных магнитных наноструктур на основе никеля для устройств микроэлектроники и нанодиагностики |
|
| Том 54, № 1 (2025) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Исследование режимов осаждения пленок Cu2O методом ВЧ магнетронного распыления для применения в структурах солнечных элементов |
|
| Том 54, № 1 (2025) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Разработка и испытание технологической платформы атомно-слоевого осаждения для синтеза материалов микро- и наноэлектроники |
|
| Том 54, № 2 (2025) |
ДИАГНОСТИКА |
Закономерности переноса рентгеновского излучения в легированных многокомпонентных полупроводниках для дозиметрии |
|
| Том 54, № 2 (2025) |
ДИАГНОСТИКА |
Измерение энергии адгезии между элементами мэмс с помощью залипшего кантилинера |
|
| Том 54, № 2 (2025) |
МЕМРИСТОРЫ |
Многоуровневые переключения в мемристивных структурах на основе оксидированного селенида свинца |
|
| Том 54, № 2 (2025) |
НАНОСТРУКТУРЫ |
Электрические характеристики рутениевых дорожек с площадью поперечного сечения менее 1000 нм² |
|
| Том 54, № 2 (2025) |
НАНОТРАНЗИСТОРЫ |
Влияние шероховатости границы на вариативность вах кремневых полевых GAA нанотранзисторов |
|
| Том 54, № 2 (2025) |
ПРИБОРЫ |
Сегнетоэлектрические транзисторы: принципы работы, материалы, приложения |
|
| Том 54, № 2 (2025) |
ТЕХНОЛОГИИ |
ПРЕЦИЗИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ АЛЮМИНИЕВЫХ ПРОВОДНИКОВ В ТЕХНОЛОГИИ КОММУТИРУЮЩИХ УСТРОЙСТВ МИКРОСИСТЕМНОЙ ТЕХНИКИ |
|
| Том 54, № 3 (2025) |
ДИАГНОСТИКА |
Метод автоматизированного расчёта зёрен и пустот в металлических плёнках и TSV-структурах |
|
| Том 54, № 3 (2025) |
ДИАГНОСТИКА |
Структура тонких пленок нитрида титана, сформированных методом магнитронного распыления |
|
| Том 54, № 3 (2025) |
МЕМРИСТОРЫ |
Обучение с подкреплением импульсной нейронной сети с использованием следовых переменных для синаптических весов с мемристивной пластичностью |
|
| Том 54, № 3 (2025) |
МЕМРИСТОРЫ |
СТАБИЛИЗАЦИЯ СОСТОЯНИЙ МЕМРИСТОРНОЙ ЯЧЕЙКИ В ПРОЦЕССЕ НАЧАЛЬНЫХ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЙ ПОСЛЕ ФОРМОВКИ |
|
| Том 54, № 3 (2025) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Особенности формирования сбоев в сбис при воздействии импульсного ионизирующего излучения |
|
| Том 54, № 3 (2025) |
ПРИБОРЫ |
Температурные характеристики простого токового зеркала на кремниевых высоковольтных nLDMOS с большой drift областью |
|
| Том 54, № 3 (2025) |
ТЕХНОЛОГИИ |
НАНОСТРУКТУРИРОВАННОЕ ТРАВЛЕНИЕ РУТЕНИЯ В ТРЕХКОМПОНЕНТНОЙ ПЛАЗМЕ Cl2/O2/Ar |
|
| Том 54, № 3 (2025) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Самосборка трехмерных мезоструктур с использованием локальной ионно-плазменной обработки |
|
| Том 54, № 4 (2025) |
КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ |
Разработка коррелятора для измерения автокорреляционной функции второго порядка источников одиночных фотонов |
|
| Том 54, № 4 (2025) |
ЛИТОГРАФИЯ |
Перспективы развития электроннолучевой ионнолучевой литографии в России |
|
| Том 54, № 4 (2025) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Моделирование самосборки микроиндукторов, производимой за счет остаточных механических напряжений |
|
| Том 54, № 4 (2025) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
Электропроводность тонкой поликристаллической пленки с учетом различных коэффициентов зеркальности |
|
| Том 54, № 4 (2025) |
НЕЙРОМОРФНЫЕ СИСТЕМЫ |
Обучение импульсной нейронной сети с учетом особенностей функционирования мемристивного кроссбар-массива |
|
| Том 54, № 4 (2025) |
НЕЙРОМОРФНЫЕ СИСТЕМЫ |
Аппаратная реализация асинхронной Аналоговой нейронной сети с обучением на базе унифицированных КМОП IP-блоков |
|
| Том 54, № 4 (2025) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Влияние быстрого термического отжига на формирование омических контактов алюминий-кремний и алюминий-поликремний в интегральных микросхемах |
|
| Том 54, № 4 (2025) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Многослойные эпитаксиальные кремниевые структуры с субмикронными слоями, выращенные сублимационной молекулярно-пучковой эпитаксией |
|
| Том 54, № 5 (2025) |
ДИАГНОСТИКА |
Метод тестирования радиационной стойкости материалов полупроводниковой электроники в электронном микроскопе |
|
| Том 54, № 5 (2025) |
ДИАГНОСТИКА |
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК АЛЮМИНИЯ: УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ И РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА |
|
| Том 54, № 5 (2025) |
КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ |
Прецизионная реконструкция поляризационных квантовых состояний в условиях зашумленных измерений |
|
| Том 54, № 5 (2025) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
О корректности модельного описания состава плазмы в смеси SF6 + He + O2 |
|
| Том 54, № 5 (2025) |
ПРИБОРЫ |
Структура и материалы FinFET транзисторов |
|
| Том 54, № 5 (2025) |
ТЕХНОЛОГИИ |
Обработка пластин карбида кремния связанным алмазным инструментом |
|
| Том 54, № 5 (2025) |
ТЕХНОЛОГИИ |
О влиянии различных кислородсодержащих газов на состав плазмы трифторметана |
|
| Том 54, № 5 (2025) |
ТЕХНОЛОГИИ |
ДЕФОРМИРОВАНИЕ МЕМБРАНЫ МЭМС-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С НАНЕСЕННЫМ НАПРЯЖЕННЫМ СЛОЕМ |
|
| Том 54, № 6 (2025) |
КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ |
РАЗРАБОТКА ПРОТОКОЛОВ НЕЧЕТКИХ КВАНТОВЫХ ИЗМЕРЕНИЙ ДЛЯ ИОННЫХ КУДИТОВ |
|
| Том 54, № 6 (2025) |
ЛИТОГРАФИЯ |
СТАБИЛИЗИРУЮЩАЯ ОБРАБОТКА ПЛЕНОК НЕГАТИВНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ СЕРИИ AZ nLOF20XX НА КРЕМНИИ |
|
| Том 54, № 6 (2025) |
МЕМРИСТОРЫ |
ОСОБЕННОСТИ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ МЕМРИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ППК С НАНОЧАСТИЦАМИ PbTe ПРИ ФОТОВОЗБУЖДЕНИИ |
|
| Том 54, № 6 (2025) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ФТОРПОЛИМЕРНЫЕ ИЗДЕЛИЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ (ОБЗОР) |
|
| Том 54, № 6 (2025) |
МОДЕЛИРОВАНИЕ |
МИНИАТЮРНЫЙ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ АКТЮАТОР С УВЕЛИЧЕННОЙ СИЛОЙ ПРИЖИМА ДЛЯ РЕЗИСТИВНОГО МЭМС-ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ |
|
| Том 54, № 6 (2025) |
НАНОСТРУКТУРЫ |
ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТООПТИЧЕСКОГО ОТКЛИКА ОТДЕЛЬНЫХ СЛОЕВ МНОГОСЛОЙНЫХ МАГНИТНЫХ СИСТЕМ |
|
| Том 54, № 6 (2025) |
ПАМЯТЬ |
ТРОИЧНЫЕ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ПЕРФОРИРОВАННЫХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК |
|
